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公开(公告)号：CN113801257A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110650980.X
申请日：2021-06-10
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08F210/02 , C08F220/06 , C08J3/03 , C08L23/08
Abstract: 一种乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物具有熔融温度为94℃以上的部分。通过连续自成核与退火(SSA)分析测得的具有94℃以上的熔融温度的部分的含量为1.5％以下。一种水分散性组合物包含该乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物、中和剂和水性分散介质。
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公开(公告)号：CN103857735A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280024302.1
申请日：2012-05-17
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
CPC classification number: C08K5/06 , C07C43/11 , C07C43/1785 , C07C69/14 , C08K5/0016 , C08K5/10 , C08L27/06 , C08L63/00 , C08L69/00 , C08L75/04 , C08L2201/06
Abstract: 提供的是用于树脂组合物的增塑剂，以及包含其的树脂组合物，所述树脂组合物包括选自聚氯乙烯树脂、聚氨基甲酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、环氧树脂或生物可降解的树脂的任意一种或多种，所述增塑剂具有优良的机械特性例如拉伸强度、延展性和硬度以及形状可加工性，并且特别地在低温具有优良的挠性，因为与树脂相容性良好而不导致渗出，并且具有良好的透明度、耐热性、耐冷性和耐久性。
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公开(公告)号：CN106565952B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106565952A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610557190.6
申请日：2016-07-14
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于半导体和显示器制造工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性、平坦化特性和优异的耐热性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN106432711A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: C08G65/4012 , C08G65/48 , C08G2650/40 , C09D171/08 , G03F7/091 , G03F7/094 , C08G65/4025 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/0275 , H01L21/0276
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN106432711B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201610551869.4
申请日：2016-07-13
Applicant: SK新技术株式会社 , SK综合化学株式会社
IPC: C08G65/40 , H01L21/027 , G03F7/11
Abstract: 本发明提供用于制造半导体和显示器工艺的新聚合物，含有所述用于半导体和显示器制造工艺的聚合物的抗蚀剂下层膜组合物，以及使用所述组合物制造半导体装置的方法，更具体而言，本公开的新聚合物同时具有优化的蚀刻选择性和平坦化特性，使得含有所述聚合物的抗蚀剂下层膜组合物可用作多层半导体光刻工艺用的硬掩膜。
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公开(公告)号：CN113801257B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202110650980.X
申请日：2021-06-10
IPC: C08F210/02 , C08F220/06 , C08J3/03 , C08L23/08
Abstract: 一种乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物具有熔融温度为94℃以上的部分。通过连续自成核与退火(SSA)分析测得的具有94℃以上的熔融温度的部分的含量为1.5％以下。一种水分散性组合物包含该乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物、中和剂和水性分散介质。
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公开(公告)号：CN111225934A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201880049559.X
申请日：2018-07-02
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体和显示器的制造工艺的具有新结构的聚合物、包含该聚合物的用于半导体和显示器的制造工艺的下层膜组合物以及利用该下层膜组合物制造半导体元件的方法，更具体地，本发明的新型聚合物具有优化的蚀刻选择比和平坦化特性以及优异的耐热性，因此包含该聚合物的下层膜组合物可以在半导体多层光刻工艺中用作硬掩膜。
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