公开(公告)号：CN100590568C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200580038247.1

申请日：2005-11-08

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 洛伦佐·特里波迪 ,  米哈伊·A·T·桑杜利努 ,  彼得·G·布兰肯

IPC分类号： G05F3/22

CPC分类号： G05F3/262

摘要： 本发明涉及改进的与绝对温度成正比的(PTAT)电流源和产生PTAT电流的相应方法。利用晶体管的基-发射极电压和集电极电流之间的对数关系产生合适的集电极电流，并强制其流入两个晶体管。连接在所述两个晶体管的基极之间的电阻感受两个晶体管的基-发射极电压的电压差，这两个晶体管有相同的或不同的面积。流过电阻的电流的一部分被强制流入晶体管集电极，并被输出晶体管反映而提供输出电流。通过这一原理，能提供一种全npn晶体管的PTAT电流源而不需要像普通PTAT电流源中那样的pnp晶体管。本发明一般适用于需要PTAT电流参考的各种不同类型的集成电路。

公开(公告)号：CN101411055B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200780010863.5

申请日：2007-03-26

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 简·弗罗曼斯 ,  赫尔本·W·德琼 ,  米哈伊·A·T·桑杜利努

IPC分类号： H03C3/00 ,  H03C3/40

CPC分类号： H03C5/00

摘要： 本发明一般涉及将极化调制的信号的包络信息传送至变化脉冲宽度信号，同时将相位调制直接传送至该PWM信号的相位调制。因此，所产生的信号是PWM-PPM信号。通过使用开关放大级，能够有效地放大这样的信号。利用本发明，基本地将4个预失真的基带信号施加到4个线性RF混频器和2个加法器，这4个线性RF混频器和2个加法器是构建根据本发明的调制器唯一需要的外部RF构造块。也就是，本发明的基本思想在于对4个基带信号的调制的方式以及对RF调制的信号进行组合的方式。

公开(公告)号：CN101411055A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780010863.5

申请日：2007-03-26

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 简·弗罗曼斯 ,  赫尔本·W·德琼 ,  米哈伊·A·T·桑杜利努

IPC分类号： H03C3/00 ,  H03C3/40

CPC分类号： H03C5/00

摘要： 本发明一般涉及将极化调制的信号的包络信息传送至变化脉冲宽度信号，同时将相位调制直接传送至该PWM信号的相位调制。因此，所产生的信号是PWM－PPM信号。通过使用开关放大级，能够有效地放大这样的信号。利用本发明，基本地将4个预失真的基带信号施加到4个线性RF混频器和2个加法器，这4个线性RF混频器和2个加法器是构建根据本发明的调制器唯一需要的外部RF构造块。也就是，本发明的基本思想在于对4个基带信号的调制的方式以及对RF调制的信号进行组合的方式。