Invention Grant
- Patent Title: 全npn晶体管的与绝对温度成正比的电流源
- Patent Title (English): All npn-transistor current source proportional to absolute temperature
-
Application No.: CN200580038247.1Application Date: 2005-11-08
-
Publication No.: CN100590568CPublication Date: 2010-02-17
- Inventor: 洛伦佐·特里波迪 , 米哈伊·A·T·桑杜利努 , 彼得·G·布兰肯
- Applicant: NXP股份有限公司
- Applicant Address: 荷兰艾恩德霍芬
- Assignee: NXP股份有限公司
- Current Assignee: NXP股份有限公司,申请人
- Current Assignee Address: 荷兰艾恩德霍芬
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 朱进桂
- Priority: 04105701.9 2004.11.11 EP
- International Application: PCT/IB2005/053670 2005.11.08
- International Announcement: WO2006/051486 EN 2006.05.18
- Date entered country: 2007-05-09
- Main IPC: G05F3/22
- IPC: G05F3/22

Abstract:
本发明涉及改进的与绝对温度成正比的(PTAT)电流源和产生PTAT电流的相应方法。利用晶体管的基-发射极电压和集电极电流之间的对数关系产生合适的集电极电流,并强制其流入两个晶体管。连接在所述两个晶体管的基极之间的电阻感受两个晶体管的基-发射极电压的电压差,这两个晶体管有相同的或不同的面积。流过电阻的电流的一部分被强制流入晶体管集电极,并被输出晶体管反映而提供输出电流。通过这一原理,能提供一种全npn晶体管的PTAT电流源而不需要像普通PTAT电流源中那样的pnp晶体管。本发明一般适用于需要PTAT电流参考的各种不同类型的集成电路。
Public/Granted literature
- CN101069142A 全npn晶体管的与绝对温度成正比的电流源 Public/Granted day:2007-11-07
Information query
IPC分类: