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公开(公告)号：CN120019488A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202280100525.5
申请日：2022-09-29
Applicant: NGK电子器件株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: H01L23/12
Abstract: 本发明所涉及的半导体装置用基板具备：陶瓷基板；以及铜板，其与所述陶瓷基板的至少一个面接合，在所述陶瓷基板中具有Cu存在区域，所述Cu存在区域从与所述铜板的接合界面起累计Cu质量浓度显示为90%时的Cu存在深度为11.0～20.0μm。
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