公开(公告)号：CN101789426A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010103981.4

申请日：2010-01-26

Applicant: NEC液晶技术株式会社

Inventor： 山口弘高 ,  高取宪一

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种没有减小开口率的垂直取向型薄膜晶体管阵列基板。具备：绝缘层上形成的蚀刻停止层；在包括所述蚀刻停止层的所述绝缘层上形成的钝化层；形成在所述钝化层并且通过所述蚀刻停止层的凹部；形成在包括所述凹部的所述钝化层上并且与所述凹部相对应而凹下的像素电极；所述蚀刻停止层由透明半导体构成。