公开(公告)号：CN104662202B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380049569.0

申请日：2013-07-24

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裵锺一 ,  李锺淳 ,  梁惠星 ,  河相求

IPC分类号： C23F1/44 ,  C23F1/10

CPC分类号： C11D11/0029 ,  C11D3/2003 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2068 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  C23C22/02 ,  C23C22/63 ,  C23F11/165 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02068

摘要： 本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01‑10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01‑20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。

公开(公告)号：CN104662202A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049569.0

申请日：2013-07-24

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裵锺一 ,  李锺淳 ,  梁惠星 ,  河相求

IPC分类号： C23F1/44 ,  C23F1/10

CPC分类号： C11D11/0029 ,  C11D3/2003 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2068 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  C23C22/02 ,  C23C22/63 ,  C23F11/165 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02068

摘要： 本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01-10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01-20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。