公开(公告)号：CN107924144A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680047867.X

申请日：2016-08-10

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裴钟一 ,  李钟淳 ,  河相求 ,  梁惠星 ,  M-Y·韩 ,  H-J·李

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种用于LCD制造的光刻胶剥离剂组合物,以及一种能够用于制造一种TFT-LCD的所有过程的集成光刻胶剥离剂组合物。更具体地，本发明涉及一种水性光刻胶剥离剂组合物，其能够应用于所有过渡金属、电位金属和氧化物半导体电线中。所述的水性光刻胶剥离剂组合物包括(a)一种电位金属和金属氧化物缓蚀剂、(b)一种过渡金属缓蚀剂、(c)一种伯烷醇胺、(d)一种环醇、(e)水、(f)一种非质子极性有机溶剂、和(g)一种质子极性有机溶剂，其中所述的光刻胶剥离剂组合物在半导体或平面显示面板过程中，有优异去除在进行硬烘烤工艺、注入工艺和干法蚀刻工艺后产生的降解的光刻胶的能力，可以同时应用于铝(其为电位金属)、铜或银(其为过渡金属)、和同样地，金属氧化物电线，并且可以被引入有机膜和COA工艺中。

公开(公告)号：CN114651215A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078373.4

申请日：2020-11-18

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  金圭祥 ,  李锺淳 ,  河相求 ,  全炳宇 ,  梁允模 ,  卞杞天 ,  崔然洙 ,  金善正

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D11/00 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50

摘要： 本发明涉及一种用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物，涉及一种能够用于制造显示器的所有工艺的光刻胶剥离液组合物。更具体地，本发明的用于制造显示器的光刻胶剥离液组合物能够应用于所有过渡金属及氧化物半导体电线，具有优异的去除在硬烘烤(Hard Baked)工艺、注入(Implant)工艺及干法蚀刻(Dry Etch)工艺后产生的变性的光刻胶的能力。尤其，示出对于干法蚀刻后易受腐蚀的铜(Cu)线图案边缘部分进一步特化的腐蚀抑制效果。

公开(公告)号：CN104662202B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380049569.0

申请日：2013-07-24

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裵锺一 ,  李锺淳 ,  梁惠星 ,  河相求

IPC分类号： C23F1/44 ,  C23F1/10

CPC分类号： C11D11/0029 ,  C11D3/2003 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2068 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  C23C22/02 ,  C23C22/63 ,  C23F11/165 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02068

摘要： 本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01‑10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01‑20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。

公开(公告)号：CN104662202A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380049569.0

申请日：2013-07-24

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裵锺一 ,  李锺淳 ,  梁惠星 ,  河相求

IPC分类号： C23F1/44 ,  C23F1/10

CPC分类号： C11D11/0029 ,  C11D3/2003 ,  C11D3/2041 ,  C11D3/2068 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  C23C22/02 ,  C23C22/63 ,  C23F11/165 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02068

摘要： 本发明提供一种在制造半导体电路、有机发光二极管、LED或液晶显示器的过程中，去除形成在铜膜表面的氧化物，且不会引起更低层金属膜的腐蚀的方法。该组合物包括腐蚀性胺，可去除金属氧化物，这取决于范围为0.01-10％的添加剂，而不论超纯水的含量为多少。当其同样含有水和0.01-20％的添加剂时，除了腐蚀性胺以外，其它极性溶剂可有效去除金属表面的氧化物。

公开(公告)号：CN107924144B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201680047867.X

申请日：2016-08-10

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  柳匡铉 ,  裴钟一 ,  李钟淳 ,  河相求 ,  梁惠星 ,  M-Y·韩 ,  H-J·李

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及一种用于LCD制造的光刻胶剥离剂组合物,以及一种能够用于制造一种TFT‑LCD的所有过程的集成光刻胶剥离剂组合物。更具体地，本发明涉及一种水性光刻胶剥离剂组合物，其能够应用于所有过渡金属、电位金属和氧化物半导体电线中。所述的水性光刻胶剥离剂组合物包括(a)一种电位金属和金属氧化物缓蚀剂、(b)一种过渡金属缓蚀剂、(c)一种伯烷醇胺、(d)一种环醇、(e)水、(f)一种非质子极性有机溶剂、和(g)一种质子极性有机溶剂，其中所述的光刻胶剥离剂组合物在半导体或平面显示面板过程中，有优异去除在进行硬烘烤工艺、注入工艺和干法蚀刻工艺后产生的降解的光刻胶的能力，可以同时应用于铝(其为电位金属)、铜或银(其为过渡金属)、和同样地，金属氧化物电线，并且可以被引入有机膜和COA工艺中。

公开(公告)号：CN110622071A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201980001421.7

申请日：2019-04-16

申请人： LTC有限公司

发明人： 崔好星 ,  金圭祥 ,  裵钟一 ,  李钟淳 ,  河相求 ,  梁允模

IPC分类号： G03F7/42 ,  C11D11/00 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50

摘要： 本发明是形成微电路的PCB的制造用,尤其是可用于多层挠性PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board)制造工程的干膜光阻剥离液组合物相关的发明。