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公开(公告)号:CN1193227C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN00814589.X
申请日:2000-12-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G01N27/18
CPC classification number: H05B6/6458 , G01N27/121
Abstract: 本发明公开了一种用于微波炉的绝对湿度传感器。该绝对湿度传感器包括:一在预定区域内具有第一孔和第二孔的基片;一形成于该基片上的隔膜;一在隔膜上在形成有第一孔的位置处形成的、用于检测空气的湿度的、具有可随所测湿度变化的电阻值的湿度感测元件;以及一在隔膜上在形成第二孔的位置处形成的、用于补偿湿度感测元件的电阻值的温度补偿元件。为了进行封装,该绝对湿度传感器还包括:一与基片下部接合的管座,具有用于与外部电连接的插脚和流过外部湿气的孔;一导线,用于将湿度感测元件和温度补偿元件的电极焊点与管座的插脚电连接;以及一形成于管座上部上的金属保护壳,以覆盖管座的包含湿度感测元件和温度补偿元件的整个表面。
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公开(公告)号:CN1141433A
公开(公告)日:1997-01-29
申请号:CN96104036.X
申请日:1996-02-24
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/122 , G01N27/125
Abstract: 本发明公开了一种气体检测仪,该检测仪包括一个通过施加电压而进行自加热的气敏器件,通过该气敏器件电阻的变化值的改变来进行气体检测;一个用于供给气敏器件可变电压的电压源;一个用于检测随气敏器件检测的气体变化的电流的电流检测器;和一个用于控制电压源,以便控制向气敏器件提供可变电压的控制判断部分,该部分接收来自电流检测器的电流值,根据伏安特性数据判断气体的种类和浓度。
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公开(公告)号:CN1382255A
公开(公告)日:2002-11-27
申请号:CN00814589.X
申请日:2000-12-12
Applicant: LG电子株式会社
IPC: G01N27/18
CPC classification number: H05B6/6458 , G01N27/121
Abstract: 本发明公开了一种用于微波炉的绝对湿度传感器。该绝对湿度传感器包括:一在预定区域内具有第一孔和第二孔的基片;一形成于该基片上的隔膜;一在隔膜上在形成有第一孔的位置处形成的、用于检测空气的湿度的、具有可随所测湿度变化的电阻值的湿度感测元件;以及一在隔膜上在形成第二孔的位置处形成的、用于补偿湿度感测元件的电阻值的温度补偿元件。为了进行封装,该绝对湿度传感器还包括:一与基片下部接合的管座,具有用于与外部电连接的插脚和流过外部湿气的孔;一导线,用于将湿度感测元件和温度补偿元件的电极焊点与管座的插脚电连接;以及一形成于管座上部上的金属保护壳,以覆盖管座的包含湿度感测元件和温度补偿元件的整个表面。
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公开(公告)号:CN1077687C
公开(公告)日:2002-01-09
申请号:CN97119278.2
申请日:1997-08-07
Applicant: LG电子株式会社
Abstract: 一种烃气传感器及其制造方法。该传感器包括一个在衬底的若干个电极上形成的并且用于检测烃类的敏感层和一个在敏感层上形成的并且用于与还原气反应的外覆盖层,在由不同气体组成的混合物中的还原气体与外覆盖层发生反应然后放出,在剩余的气体中,只有烃气被敏感层检测,然后通过电极产生一个信号,其中电极敏感层和外覆盖层可以以彼此分开的方式形成,以便更有效和有选择地进行检测。
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公开(公告)号:CN1158995A
公开(公告)日:1997-09-10
申请号:CN96112060.6
申请日:1996-11-08
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: G01N33/0047 , G01N27/12
Abstract: 一种能有效检测由烟雾发出的气味、一般的臭味例如TMA和CH3SH、Kimchi的气味、乙醛等的空气污染气体传感器,及其制造方法。该空气污染气体传感器包括:基片;形成在该基片上的加热器;每一个皆形成在该基片上且与加热器绝缘的电极;及在包括该电极的该基片上由包含WO3的SnO2构成的敏感层。制造气体传感器的方法包括以下步骤:在基片上形成加热器;在基片上形成与加热器绝缘的电极;及在包括电极的基片上形成包含WO3的SnO2敏感层。
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公开(公告)号:CN1118110A
公开(公告)日:1996-03-06
申请号:CN95107079.7
申请日:1995-06-22
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L21/441
Abstract: 一种半导体器件金属薄膜制作方法,包括下述步骤;在衬底上共溅射淀积贵重金属材料和金属而制成混合金属粘结膜,所述金属与所述衬底具有优良的粘结性能;在上述混合金属粘结膜上再溅射淀积所述贵金属材料而制成金属薄膜。
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