公开(公告)号：CN101496180B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200780027763.3

申请日：2007-07-23

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 尹锡炫 ,  李京洙

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 一种制备CIS(Cu-In-Se)化合物的方法，该方法包括：(S1)制备多数个具有与硒化铜种子颗粒表面的至少一部分物理结合的硒化铟外层的第一复合颗粒或者多数个具有与硒化铟种子颗粒表面的至少一部分物理结合的硒化铜外层的第二复合颗粒；以及(S2)通过对选自第一复合颗粒、第二复合颗粒及其混合物中的复合颗粒进行热处理来制备CIS化合物。该方法可以防止硒的损失(其不可避免地需要硒的环境)并且还改善了CIS化合物形成的分散、结合和反应的均匀性。

公开(公告)号：CN101496180A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780027763.3

申请日：2007-07-23

Applicant: LG化学株式会社

Inventor： 尹锡炫 ,  李京洙

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 一种制备CIS(Cu－In－Se)化合物的方法，该方法包括：(S1)制备多数具有与硒化铜种子颗粒表面的至少一部分物理结合的硒化铟外层的第一复合颗粒或者多数具有与硒化铟种子颗粒表面的至少一部分物理结合的硒化铜外层的第二复合颗粒；以及(S2)通过对选自第一复合颗粒、第二复合颗粒及其混合物中的复合颗粒进行热处理来制备CIS化合物。该方法可以防止硒的损失(其不可避免地需要硒的环境)并且还改善了CIS化合物形成的分散、结合和反应的均匀性。