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公开(公告)号：CN100588698C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200680000046.7
申请日：2006-01-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2-Si3N4膜的氧化铈研磨剂；以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈，所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度，并且在抛光时抛光表面也无微痕。
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公开(公告)号：CN101374922B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200780003331.9
申请日：2007-01-19
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。
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公开(公告)号：CN100515949C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03800065.2
申请日：2003-01-03
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01F7/448 , B82Y30/00 , C01F7/36 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , C09K3/1463 , Y10S977/775 , Y10S977/811
Abstract: 本发明涉及α-氧化铝纳米粉的制备方法，更特别涉及一种具有均一的颗粒形状和粒度分布、能够在低温下生产且碱金属如Na和K的含量低于20ppm的α-氧化铝纳米粉的制备方法。该α-氧化铝纳米粉通过在含α-氧化铁或α-氧化铝成核晶种的二元醇溶液中进行烷醇铝的乙醇酸酯化(glycolating)并进行甘油热反应(glyco thermal reaction)。
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公开(公告)号：CN101326257B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN200680046413.7
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。
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公开(公告)号：CN101326256A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046228.8
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101006153A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000046.7
申请日：2006-01-24
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: B82Y30/00 , C01F17/0043 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C09K3/1409 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种用于选择性抛光各种SiO2膜和SiO2－Si3N4膜的氧化铈研磨剂；以及包含该研磨剂的浆料。由于采用具有六方晶体结构的六方碳酸铈作为铈的原料合成具有5nm或更小平均晶体粒度的多晶氧化铈，所以本发明的氧化铈研磨剂和抛光浆料具有高抛光速度，并且在抛光时抛光表面也无微痕。
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公开(公告)号：CN1496335A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03800065.2
申请日：2003-01-03
Applicant: LG化学株式会社
CPC classification number: C01F7/448 , B82Y30/00 , C01F7/36 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/80 , C09K3/1463 , Y10S977/775 , Y10S977/811
Abstract: 本发明涉及α－氧化铝纳米粉的制备方法，更特别涉及一种具有均一的颗粒形状和粒度分布、能够在低温下生产且碱金属如Na和K的含量低于20ppm的α－氧化铝纳米粉的制备方法。该α－氧化铝纳米粉通过在含α－氧化铁或α－氧化铝成核晶种的二元醇溶液中进行烷醇铝的乙醇酸酯化(glycolating)并进行甘油热反应(glyco thermal reaction)。
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公开(公告)号：CN101326256B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200680046228.8
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种在同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料时用于控制抛光选择性的辅助剂。本发明还公开了包含上述辅助剂的CMP浆料。所述辅助剂包含：(a)聚电解质，其在阳离子带电材料上形成吸附层，以提高对阴离子带电材料的抛光选择性；(b)碱性物质；和(c)基于氟的化合物。当将根据本发明的用于控制CMP浆料抛光选择性的辅助剂应用于CMP处理过程中时，在抛光处理过程中，可以提高对二氧化硅层的抛光选择性，获得CMP浆料的均匀粒度，稳定在外力下的粘度变化，并使产生的微细刮痕最少化。因此，根据本发明的用于CMP浆料的辅助剂能够提高在超大规模集成半导体制造过程中的可靠性和生产率。
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公开(公告)号：CN101374922A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003331.9
申请日：2007-01-19
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明公开了一种CMP浆料，其中将重均分子量为30～500且含有羟基(OH)、羧基(COOH)或其两者的化合物加入到包含磨粒和水且具有第一粘度的CMP浆料中，以便控制CMP浆料具有比第一粘度低5～30％的第二粘度。本发明还公开了一种使用该CMP浆料抛光半导体晶片的方法。根据本发明，CMP浆料的磨粒的团聚粒度可被减小，同时CMP浆料的粘度可降低并且抛光时晶片的整体平坦性可得到改善。因此，CMP浆料可有利地用于制造需要精细图案的半导体器件的制造过程中，并且能够在半导体制造过程中通过使用该浆料而改善半导体器件的可靠性和生产。
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公开(公告)号：CN101326257A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200680046413.7
申请日：2006-12-08
Applicant: LG化学株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了一种用于同时抛光阳离子带电材料和阴离子带电材料的辅助剂，为提高对阴离子带电材料的抛光选择性，该辅助剂在阳离子带电材料上形成吸附层，其中，该辅助剂包含含有下述组分的聚电解质盐：(a)重均分子量为2,000～50,000的直链聚电解质与重均分子量为1,000～20,000并包含主链和侧链的接枝型聚电解质的混合物；以及(b)碱性物质。本发明还公开了包含上述辅助剂和磨粒的CMP(化学机械抛光)浆料。与仅使用直链聚电解质的CMP浆料相比，包含直链聚电解质与接枝型聚电解质的混合物的辅助剂，能够提高抛光选择性，并且能够通过控制直链聚电解质与接枝型聚电解质的比例而获得所需范围的抛光选择性。
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