掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN112740106A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201980061510.0

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 本发明提供一种具备蚀刻停止膜(1)的掩模坯料(100),该蚀刻停止膜(1)对于在将相移膜(3)进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高,进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有蚀刻停止膜(2)和相移膜(3)的结构,相移膜(3)由含有硅的材料形成,蚀刻停止膜(2)由含有铪、铝及氧的材料形成,蚀刻停止膜(2)的氧缺失率为6.4%以下。

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