公开(公告)号：CN1808279A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510121556.7

申请日：2005-12-29

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： J·J·M·巴塞尔曼斯 ,  S·N·L·董德尔斯 ,  C·A·霍根达姆 ,  J·J·S·M·梅藤斯 ,  J·C·H·穆尔肯斯 ,  B·斯特里夫卡克

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G06F17/00

CPC classification number: G03F9/7023 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70883

Abstract: 提供了一种用于修正沉浸光刻装置的曝光参数的方法。在该方法中，使用投射穿过在沉浸光刻装置的投影系统与衬底台之间的液体的测量光束来测量曝光参数，并根据物理特性的变化来确定偏移以至少部分地修正测量的曝光参数，所述物理特性影响用测量光束所做的测量。还提供了一种用来在沉浸光刻装置中测量与液体相连的光学元件的高度的装置和方法，所述液体在投影系统与衬底台之间。