公开(公告)号：CN102630254B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080053733.1

申请日：2010-11-24

申请人： AQT太阳能公司

发明人： 迈克尔·巴塞洛缪兹 ,  布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹 ,  马里安娜·穆特安祐 ,  伊洛·戈特

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/115

CPC分类号： C22C1/0491 ,  B22F2998/10 ,  C04B35/547 ,  C04B35/6455 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/10

摘要： 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。

公开(公告)号：CN102630254A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053733.1

申请日：2010-11-24

申请人： AQT太阳能公司

发明人： 迈克尔·巴塞洛缪兹 ,  布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹 ,  马里安娜·穆特安祐 ,  伊洛·戈特

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  B22F3/115

CPC分类号： C22C1/0491 ,  B22F2998/10 ,  C04B35/547 ,  C04B35/6455 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/10

摘要： 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。

公开(公告)号：CN102257634A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200980151493.6

申请日：2009-12-21

申请人： AQT太阳能公司

发明人： 马里安娜·罗迪卡·穆特安祐 ,  伊洛·戈特

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/541

摘要： 在一个示例实施方式中，方法包括，在基板上溅射一个或多个吸收层。在特定实施方式中，在所述溅射之前以及在溅射所述一个或多个吸收层的每一个期间，将所述基板预热至基板温度为至少约300摄氏度；并且所述吸收层中的至少一个的溅射在具有至少0.5帕斯卡压强的溅射气氛下进行。此外，在特定实施方式中，所述吸收层中的至少一个的溅射包括，由包括硫属化物合金的溅射靶进行的溅射，所述硫属化物合金包含铜(Cu)和硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种。