液晶介质以及含有该液晶介质的电光学显示器

    公开(公告)号:CN1626617A

    公开(公告)日:2005-06-15

    申请号:CN200410092228.4

    申请日:2004-11-05

    CPC classification number: C09K19/02 C09K19/42 Y10T428/10

    Abstract: 本发明涉及液晶显示器中具有小于或等于0.05μA/cm2的初始电流密度以及小于或等于1.0V的阈电压(threshold voltage)的向列型液晶介质。该液晶介质优选含有a)含有一种或多种通式I化合物的介电正性液晶成分A其中各参数具有说明书中所指定的含义,和b)含有选自一种或多种选自通式II、III和IV化合物中的化合物的介电正性液晶成分B其中各参数具有说明书中所指定的含义。本发明还涉及上述介质在液晶显示器中的应用以及使用上述介质的液晶显示器,尤其是TN和STN显示器。

    液晶介质
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110628441B

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN201910543410.3

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明涉及液晶介质及其用于有源矩阵显示器的用途,特别是基于VA,PSA,PS‑VA,PM‑VA,SS‑VA,PALC,IPS,PS‑IPS,FFS或PS‑FFS效应的有源矩阵显示器。

    液晶介质
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105400522B

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201510715617.6

    申请日:2015-08-14

    Abstract: 本发明涉及基于极性化合物的混合物的液晶介质,其包含·至少一种式I的化合物,其中R1、L1、L2、L3和m具有如在权利要求1中所定义的含义和·至少一种选自式IA至I‑K化合物的化合物,其中R1、R1*、a、L1、L2具有如在权利要求1所定义的含义,并涉及所述LC混合物用于有源或无源矩阵寻址显示器(特别是基于VA、PSA、PS‑VA、IPS、FFS、PS‑IPS、PS‑FFS技术),优选在光学显示器中用于自配向VA模式的用途。

    液晶介质以及含有该液晶介质的电光学显示器

    公开(公告)号:CN1626617B

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN200410092228.4

    申请日:2004-11-05

    CPC classification number: C09K19/02 C09K19/42 Y10T428/10

    Abstract: 本发明涉及液晶显示器中具有小于或等于0.05μA/cm2的初始电流密度以及小于或等于1.0V的阈电压(threshold voltage)的向列型液晶介质。该液晶介质优选含有a)含有一种或多种通式I化合物的介电正性液晶成分A其中各参数具有说明书中所指定的含义,和b)含有选自一种或多种选自通式II、III和IV化合物中的化合物的介电正性液晶成分B其中各参数具有说明书中所指定的含义。本发明还涉及上述介质在液晶显示器中的应用以及使用上述介质的液晶显示器,尤其是TN和STN显示器。

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