公开(公告)号：CN1343376A

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN00804875.4

申请日：2000-02-29

Applicant: 默克专利股份有限公司

Inventor： A·库贝尔贝克 ,  C·杰琳斯基 ,  L·海德 ,  W·斯托库姆

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0288 ,  H01L21/033 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/2255 ,  C09D183/02 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/228 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y10S252/95 ,  Y10S438/923

Abstract: 本发明涉及用于生产单晶和多晶Si片的p,p+和n,n+区的新型硼、磷或硼－铝基掺杂糊剂,本发明进一步涉及使用相应的糊剂作为掩模糊剂在半导体的生产、功率电子元件或光电器件方面的应用。