公开(公告)号：CN117878139A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311832101.0

申请日：2023-12-28

申请人： 黄山芯微电子股份有限公司

发明人： 伍伟 ,  饶祖刚 ,  项建辉 ,  王民安 ,  沈永红 ,  陈丽萍 ,  饶永萍 ,  郑科峰 ,  廖亮亮 ,  吴贤龙 ,  王玲 ,  徐静

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种具有P型埋层的深沟槽结终端及制备方法，有源区为带载流子存储层的沟槽栅FS+I GBT结构，其包含：连接发射极的N+发射极区与P+发射极区，P型基区003与其下方的载流子存储层，N型衬底，背面的N型场截止层与P+集电极区，以及由连接栅极的N型多晶硅上半栅、N型多晶硅下半栅与多晶硅外侧包围的栅氧化层组成的沟槽栅结构，同时沟槽栅下方有P型屏蔽环，结终端区域也具有沟槽栅结构。本发明公开的具有P型埋层的深沟槽结终端结构的P型埋层与双层场板结构使结终端的耐压值提高，在相同耐压值下大大减小终端面积。另外，本发明公开的工艺流程与带载流子存储层的沟槽栅FS+I GBT结构的工艺流程有很好的兼容性。

公开(公告)号：CN118263336A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311815778.3

申请日：2023-12-27

申请人： 黄山芯微电子股份有限公司

发明人： 饶祖刚 ,  项建辉 ,  王民安 ,  郑春鸣 ,  沈永红 ,  陈丽萍 ,  饶永萍 ,  徐静 ,  吴贤龙 ,  王玲 ,  廖亮亮

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种MOS型快恢复二极管芯片结构及其制作方法，在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区，在N‑漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有N+区，可选的，在P区上设置有N+区及P+短路点，P+短路点均匀设置在N+区域内且深度超过N+；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的N+层和其下的P层后一直到达漂移区N‑层，沟槽底部下侧N‑浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，且多晶硅的底部超过P层，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及N+区和P+短路点相连接。本发明的芯片具有较低的正向压降、更好的恢复特性及雪崩能力。

公开(公告)号：CN117976729A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311816391.X

申请日：2023-12-27

申请人： 黄山芯微电子股份有限公司

发明人： 饶祖刚 ,  项建辉 ,  王民安 ,  郑春鸣 ,  沈永红 ,  廖亮亮 ,  陈丽萍 ,  饶永萍 ,  徐静 ,  吴贤龙 ,  王玲

IPC分类号： H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种沟槽型快恢复二极管芯片结构及其制作方法，其结构为在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区，在N‑漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有P+区；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的P+层和其下的P层后一直到达漂移区N‑层，沟槽底部下侧N‑浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及P+区相连接，在重掺N+衬底下面设置有背面金属阴极电极。通过本发明的工艺扩散进入N‑层的金或铂仅在沟槽底部的N‑区局部浅表层中，这样的金或铂的杂质分布，可以获得更低的正向压降及更高的软度。