公开(公告)号：CN107429394A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680008898.4

申请日：2016-02-16

Applicant: 麒麟株式会社

Inventor： 田渕博康 ,  天野勉 ,  中谷正树

IPC: C23C16/44 ,  C23C8/28

Abstract: 本发明的目的在于提供一种耐久性高的发热体及其制造方法。本发明的发热体(1)包含具有金属钽相的第1层(2)、及覆盖第1层(2)的周围且具有碳化钽相的第2层(3)，并且第1层(2)与第2层(3)的界面部(4)的硅浓度高于界面部(4)以外部分的硅浓度。

公开(公告)号：CN107429392B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201680021428.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 麒麟株式会社

Inventor： 田渕博康

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  B65D23/02

Abstract: 本发明的目的在于提供阻气性和透明性优异的阻气性塑料成型体及其制造方法。本发明的阻气性塑料成型体(90)是具备塑料成型体(91)和设置于塑料成型体(91)的表面的阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体，其中，阻气薄膜(92)含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si‑C键能的出峰位置具有观察到主峰的区域。条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。

公开(公告)号：CN107429392A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680021428.1

申请日：2016-04-05

Applicant: 麒麟株式会社

Inventor： 田渕博康

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  B65D23/02

Abstract: 本发明的目的在于提供阻气性和透明性优异的阻气性塑料成型体及其制造方法。本发明的阻气性塑料成型体(90)是具备塑料成型体(91)和设置于塑料成型体(91)的表面的阻气薄膜(92)的阻气性塑料成型体，其中，阻气薄膜(92)含有硅(Si)、碳(C)和氧(O)作为构成元素，并且在按条件(1)进行X射线电子分光分析时，在Si-C键能的出峰位置具有观察到主峰的区域。条件(1)：将测定范围设定为95eV～105eV。