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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116682880A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310756033.8
申请日：2023-06-25
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种面入射型硅基锗光电探测器及其制备方法，该硅基锗光电探测器包括：下台面；位于下台面上表面的上台面，上台面包括由预设数目的结构单元周期性排列构成的超构结构；超构结构包括第一n型掺杂锗层和第一本征锗层；第一本征锗层设置在下台面的上表面；第一n型掺杂锗层设置在第一本征锗层的上表面。本发明基于超构结构增强整体器件光与物质间的相互作用，增加了器件在特定波段的光电转化效率，并缩减了载流子的渡越时间，提高了整体器件的响应度，实现面入射型光电探测器响应度和带宽之间的平衡。
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公开(公告)号：CN119200284A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411484066.2
申请日：2024-10-23
Applicant: 鹏城实验室
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02B6/293 , G02B1/00
Abstract: 本申请公开了一种谐振调控装置、光开关以及波长选择开关，涉及光学技术领域，所述谐振调控装置包括：第一电极结构、第二电极结构以及液晶材料；通过在两个电极之间设置液晶材料，并在液晶材料与两个电极之间分别设置配向层以及由多个超材料单元构成的超表面层。在改变两个电极之间的电场时，液晶材料的折射率可以快速跟随电场快速变化，同时各超材料单元可以基于周围液晶材料的折射率，快速改变外部摄入液晶材料的光纤的输入光场相位。由于可以通过控制两个电极之间的电场来快速改变输入光场相位，提高了光场调控速度，从而可以提高光通信的效率以及速度。
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公开(公告)号：CN118068484A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410322258.7
申请日：2024-03-20
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明提出一种多模干涉耦合器及其制备方法，其中，多模干涉耦合器包括高折射率薄膜结构和低折射率结构，高折射率薄膜结构用于传输光场；低折射率结构设于高折射率薄膜结构的表面，用于使光场局限于高折射率薄膜结构内。本申请的技术方案，能够提供一种宽频谱响应的多模干涉耦合器。
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公开(公告)号：CN117335267A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311267902.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 鹏城实验室
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开一种光电集成激光器，涉及集成光电子器件技术领域，本光电集成激光器包括层叠设置的硅基芯片层和VCSEL芯片层，所述硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，所述VCSEL芯片层所发出的光通过所述超构透镜后进行整形，然后进入所述硅基芯片层。本发明光电集成激光器通过在硅基芯片层和所述VCSEL芯片层之间夹设有超构透镜，可以对VCSEL芯片层的出射光进行调整，减小其模斑，并改变其发散角，从而提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN117310877A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311138916.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 鹏城实验室
Abstract: 本发明提出一种薄膜铌酸锂波导边缘耦合器，包括：衬底、包层以及铌酸锂波导，包层设于衬底的一表面；铌酸锂波导设于衬底与包层之间，铌酸锂波导包括依次连接的多叉型波导结构和双层波导结构，多叉型波导结构背离双层波导结构的一端形成入射端面，用于匹配标准单模光纤模场，双层波导结构背离多叉型波导结构的一端形成出射端面。本申请的技术方案，能够提供一种耦合损耗小、耦合效率高的边缘耦合器。
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