一种高速大电流切换电路及其实现方法

    公开(公告)号:CN115800976A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202310076480.9

    申请日:2023-02-08

    发明人: 罗亚非 王林昌

    摘要: 本申请公开了一种高速大电流切换电路及其实现方法,属于半导体测量技术领域,包括电脑与单片机通讯电路、单片机外围电路、MOS半导体管控制电路和大电流切换电路,本发明采用先进的MOS半导体管作为测试大电流变换的载体,克服了原来一些电路在测试大电流切换时,电流不稳定、变换速度慢和容易发热的缺点,通过电脑和单片机的通讯电路控制,能精确稳定的实现大电流测试时的循环切换。

    一种碳化硅功率器件的产品检测方法

    公开(公告)号:CN117594473B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410078425.8

    申请日:2024-01-19

    发明人: 罗亚非

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅功率器件的产品检测方法,涉及器件检测技术领域,该发明中,通过对碳化硅功率器件采集环境数据、外观数据和电性数据,并进行归一化处理,组成第一数据集、第二数据集和第三数据集,再进行建立超速检测模型,进行调试训练,获取:调试检测指数Jczs,通过预设的调试检测阈值Ts与调试检测指数Jczs进行匹配,获取调整检测评估方案,最后通过调整检测评估方案的内容,进行执行和通知相关人员,提高了对碳化硅功率器件的检测准确性,并且实现了动态调整检测评估方案,这使得系统能够根据实时情况或者相关人员设定进行灵活调整,适应不同生产状态,进而达到能够在不同情境下自适应,减少了手动干预的需求。

    一种碳化硅功率器件的产品检测方法

    公开(公告)号:CN117594473A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202410078425.8

    申请日:2024-01-19

    发明人: 罗亚非

    摘要: 本发明公开了一种碳化硅功率器件的产品检测方法,涉及器件检测技术领域,该发明中,通过对碳化硅功率器件采集环境数据、外观数据和电性数据,并进行归一化处理,组成第一数据集、第二数据集和第三数据集,再进行建立超速检测模型,进行调试训练,获取:调试检测指数Jczs,通过预设的调试检测阈值Ts与调试检测指数Jczs进行匹配,获取调整检测评估方案,最后通过调整检测评估方案的内容,进行执行和通知相关人员,提高了对碳化硅功率器件的检测准确性,并且实现了动态调整检测评估方案,这使得系统能够根据实时情况或者相关人员设定进行灵活调整,适应不同生产状态,进而达到能够在不同情境下自适应,减少了手动干预的需求。

    一种高速大电流切换电路及其实现方法

    公开(公告)号:CN115800976B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202310076480.9

    申请日:2023-02-08

    发明人: 罗亚非 王林昌

    摘要: 本申请公开了一种高速大电流切换电路及其实现方法,属于半导体测量技术领域,包括电脑与单片机通讯电路、单片机外围电路、MOS半导体管控制电路和大电流切换电路,本发明采用先进的MOS半导体管作为测试大电流变换的载体,克服了原来一些电路在测试大电流切换时,电流不稳定、变换速度慢和容易发热的缺点,通过电脑和单片机的通讯电路控制,能精确稳定的实现大电流测试时的循环切换。

    一种10MHz级高速变频电信号采集系统及采集方法

    公开(公告)号:CN114115695B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210076436.3

    申请日:2022-01-24

    发明人: 罗亚非

    IPC分类号: G06F3/05 H03M1/12 G01R31/00

    摘要: 本申请公开了一种10MHz级高速变频电信号采集系统,包括XOR电路、采样触发信号发生器、采样计数器和高速计时器,采样触发信号发生器连接有XOR电路,XOR电路和高速计时器连接有采集开始信号,采样触发信号发生器连接有采样电路和采样计数器,采样计数器连接有MCU,采样电路连接有DMA传输控制器,采样电路和高速计时器通过DMA数据传输连接有数据存储器,采样计数器发送频率切换信号到XOR电路,采样计数器发送变频触发信号到MCU。

    一种氮化镓功率器电子流动性检测系统

    公开(公告)号:CN117665524B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410103092.X

    申请日:2024-01-25

    发明人: 罗亚非

    IPC分类号: G01R31/26 G01R29/26 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种氮化镓功率器电子流动性检测系统,涉及氮化镓晶体管流动性检测技术领域,该系统通过整合光学激发测量模块、时间域测量模块、温控测量模块和噪音测量模块的数据,获得数据库;通过建立数字模型,分析计算获得电子迁移系数、第一功率稳定系数Dy1、第二稳定系数Dy2和热噪音系数Rzy,这为深入理解氮化镓晶体管性能提供了有力的工具,提高了评估的精确性和深度。并通过评估模块设定标准阈值和生成调整策略,实现了对器件合格性的灵活判定。根据评估结果生成的调整策略,包括优化结构、动态电路设计和制造工艺,并引入策略优先级,为生产团队提供了灵活性和实时性,有助于及时解决问题。

    一种高精度双极性数控恒流源控制系统

    公开(公告)号:CN115826663A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202310113087.2

    申请日:2023-02-15

    发明人: 罗亚非 王林昌

    IPC分类号: G05F1/56

    摘要: 本申请公开了一种高精度双极性数控恒流源控制系统,属于电流控制技术领域,包括包括工控机、单片机控制电路、隔离串口485通信电路、加法器电路、电压跟随器电路和恒流控制电路,本发明采用运放搭建的线性恒流源系统,输出纹波可以做到小于10mV,具有纹波小,稳定性好和输出功率大等优点;当运放的输入接入高精度数模转换电路后,很容易即可实现高精度,双极性的电流输出,改变了原有恒流源输出时抗干扰性差,稳定性差和输出功率小的缺点。

    一种氮化镓功率器电子流动性检测系统

    公开(公告)号:CN117665524A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202410103092.X

    申请日:2024-01-25

    发明人: 罗亚非

    IPC分类号: G01R31/26 G01R29/26 H01L21/66

    摘要: 本发明公开了一种氮化镓功率器电子流动性检测系统,涉及氮化镓晶体管流动性检测技术领域,该系统通过整合光学激发测量模块、时间域测量模块、温控测量模块和噪音测量模块的数据,获得数据库;通过建立数字模型,分析计算获得电子迁移系数、第一功率稳定系数Dy1、第二稳定系数Dy2和热噪音系数Rzy,这为深入理解氮化镓晶体管性能提供了有力的工具,提高了评估的精确性和深度。并通过评估模块设定标准阈值和生成调整策略,实现了对器件合格性的灵活判定。根据评估结果生成的调整策略,包括优化结构、动态电路设计和制造工艺,并引入策略优先级,为生产团队提供了灵活性和实时性,有助于及时解决问题。

    一种半导体检测温度测量仪

    公开(公告)号:CN115900982B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202310017203.0

    申请日:2023-01-06

    发明人: 罗亚非

    IPC分类号: G01K5/28 G01K1/14 G01K1/16

    摘要: 本发明涉及半导体温度检测技术领域,尤其涉及一种半导体检测温度测量仪,包括座体,所述座体的外壁设置有伸缩件,且伸缩件的伸缩端设置有固定板,所述固定板的外壁通过连接杆连接有升降板,所述升降板的外壁开设有安装孔,且伸缩件的伸缩端贯穿所述安装孔,所述升降板的外壁设置有固定杆,且固定杆的端部设置有安装板,所述安装板的外壁贯穿设置有呈阵列分布的安装筒,且安装筒中活动设置有触筒。本发明可以实现对半导体表面温度进行多点检测,进而达到可以检测半导体具体异常位置的目的,同时在检测过程中还可以通过挡风机构对半导体元件进行遮挡,阻挡外界气流吹至半导体表面,有效提高温度检测精准度,使用效果更佳。

    一种半导体检测温度测量仪
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115900982A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202310017203.0

    申请日:2023-01-06

    发明人: 罗亚非

    IPC分类号: G01K5/28 G01K1/14 G01K1/16

    摘要: 本发明涉及半导体温度检测技术领域,尤其涉及一种半导体检测温度测量仪,包括座体,所述座体的外壁设置有伸缩件,且伸缩件的伸缩端设置有固定板,所述固定板的外壁通过连接杆连接有升降板,所述升降板的外壁开设有安装孔,且伸缩件的伸缩端贯穿所述安装孔,所述升降板的外壁设置有固定杆,且固定杆的端部设置有安装板,所述安装板的外壁贯穿设置有呈阵列分布的安装筒,且安装筒中活动设置有触筒。本发明可以实现对半导体表面温度进行多点检测,进而达到可以检测半导体具体异常位置的目的,同时在检测过程中还可以通过挡风机构对半导体元件进行遮挡,阻挡外界气流吹至半导体表面,有效提高温度检测精准度,使用效果更佳。