-
公开(公告)号：CN106455344B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610081813.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司
IPC: H05K3/06
Abstract: 一种金属线路的制造方法，包含提供基板。基板表面上依序设有金属层及光刻胶层。对光刻胶层进行曝光步骤以在光刻胶层中形成曝光部及未曝光部。利用显影剂进行显影步骤以移除曝光部或未曝光部并暴露出部分金属层。于显影步骤后部分显影剂残留在金属层暴露部分上。进行等离子处理以在显影剂残留部分与金属层暴露部分上形成亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层暴露部分进行蚀刻步骤以移除金属层的暴露部分。于蚀刻步骤期间蚀刻剂与显影剂残留部分上的亲水性官能基键结而移除显影剂的残留部分。显影剂残留部分经等离子处理后可有效去除，可提高金属线路图案转移的准确性与质量，提升蚀刻工艺良率。等离子可粗化金属层表面，增进材料层对金属层的附着性。
-
公开(公告)号：CN106455344A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610081813.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司
IPC: H05K3/06
CPC classification number: H05K3/06 , H05K2203/052 , H05K2203/095
Abstract: 一种金属线路的制造方法，包含提供基板。基板表面上依序设有金属层及光刻胶层。对光刻胶层进行曝光步骤以在光刻胶层中形成曝光部及未曝光部。利用显影剂进行显影步骤以移除曝光部或未曝光部并暴露出部分金属层。于显影步骤后部分显影剂残留在金属层暴露部分上。进行等离子处理以在显影剂残留部分与金属层暴露部分上形成亲水性官能基。利用蚀刻剂对金属层暴露部分进行蚀刻步骤以移除金属层的暴露部分。于蚀刻步骤期间蚀刻剂与显影剂残留部分上的亲水性官能基键结而移除显影剂的残留部分。显影剂残留部分经等离子处理后可有效去除，可提高金属线路图案转移的准确性与质量，提升蚀刻工艺良率。等离子可粗化金属层表面，增进材料层对金属层的附着性。
-
公开(公告)号：CN208356270U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820558237.5
申请日：2018-04-19
Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司
IPC: B01D35/00
Abstract: 一种过滤器的纯化系统，包含过滤器放置架、化学溶液供液系统、第一压力感测器、化学溶液排液系统、第二压力感测器及气泡感测器。过滤器放置架用以装载过滤器。化学溶液供液系统包含供液源、及第一管线连接供液源与过滤器放置架。第一压力感测器设于第一管线上，且配置以感测化学溶液在第一管线中的第一压力。化学溶液排液系统包含排液源、及第二管线连接过滤器放置架与排液源。第二压力感测器设于第二管线上，且配置以感测化学溶液在第二管线中的第二压力。气泡感测器设于第二管线上，且介于第二压力感测器与排液源之间。利用压力感测器与气泡感测器来监控过滤器的纯化结果，可达到节省纯化过滤器的化学溶液消耗量以及缩减纯化时间的功效。
-
公开(公告)号：CN205893652U
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201620809572.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 馗鼎奈米科技股份有限公司
CPC classification number: B05B9/035 , B05B15/00 , D06B1/02 , D06C29/00 , D06M10/025 , D06M10/10 , D06M23/00 , D06M23/06 , D06M2200/12
Abstract: 一种织品的疏水整理设备。此疏水整理设备包含第一喷涂装置、至少一第一电浆装置、第二喷涂装置以及至少一第二电浆装置。第一喷涂装置配置以对织品的第一侧喷涂疏水剂。第一电浆装置设于第一喷涂装置后，且配置以对织品的第一侧进行第一电浆处理。第二喷涂装置设于第一电浆装置后，且配置以对织品的第二侧喷涂疏水剂，其中第二侧相对于第一侧。第二电浆装置设于第二喷涂装置后，且配置以对织品的第二侧进行第二电浆处理。利用喷涂装置喷涂疏水剂，并利用电浆装置对喷涂后的织品进行电浆处理，可提升疏水剂的均匀性与使用率，并可促进疏水剂内的疏水单体的彼此聚合、及疏水单体或聚合物与织物表面的键结，因此可增加织品的耐水洗效能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.034 seconds)
