公开(公告)号：CN1192434C

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN00813303.4

申请日：2000-08-31

Applicant: 飞索股份有限公司 ,  富士通股份有限公司

Inventor： 张稷 ,  R·J·黄 ,  吉江敬三郎 ,  孙禹

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L29/40114

Abstract: 通过以氮化硅加盖及侧壁层封装各个MOS晶体管及浮动栅极存储单元的钨栅极接点，以制造用于闪速EEPROM的钨栅极MOS晶体管及存储单元。本发明方法有利于在高温及氧化环境的后续工艺中，预防有害的氧化。

公开(公告)号：CN1376309A

公开(公告)日：2002-10-23

申请号：CN00813303.4

申请日：2000-08-31

Applicant: 先进微装置公司 ,  富士通股份有限公司

Inventor： 张稷 ,  R·J·黄 ,  吉江敬三郎 ,  孙禹

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L29/40114

Abstract: 通过以氮化硅加盖及侧壁层封装各个MOS晶体管及浮动栅极存储单元的钨栅极接点,以制造用于闪速EEPROM的钨栅极MOS晶体管及存储单元。本发明方法有利于在高温及氧化环境的后续工艺中,预防有害的氧化。