公开(公告)号：CN101410991B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200680048138.2

申请日：2006-12-19

Applicant: 霆激技术有限公司

Inventor： 袁述 ,  林菁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28575

Abstract: 一种在衬底上制造半导体器件的工艺，该半导体器件包括至少一个金属层。该工艺包括，移除该衬底并施加一第二衬底；以及通过在该至少一个金属层上应用电磁辐射束来退火该至少一个金属层。

公开(公告)号：CN101410991A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200680048138.2

申请日：2006-12-19

Applicant: 霆激技术有限公司

Inventor： 袁述 ,  林菁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/28575

Abstract: 一种在衬底上制造半导体器件的工艺，该半导体器件包括至少一个金属层。该工艺包括，移除该衬底并施加一第二衬底；以及通过在该至少一个金属层上应用电磁辐射束来退火该至少一个金属层。