停炉控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117364229A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202210769053.4

    申请日:2022-07-01

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种停炉控制方法、装置、设备及介质。该方法包括:确定直拉单晶过程中影响停炉时机的关键参数,其中,关键参数包括运行时长、本段晶棒长度和预估单产,基于预设完结段规则,根据所述关键参数,确定所述直拉单晶过程中的完结段,在所述完结段的直拉单晶过程中,控制所述直拉单晶设备停炉,使得综合运行时长、本段晶棒长度和预估单产等影响停炉时机的关键参数,自动对直拉单晶过程中的完结段进行预测,并据此在合适的时机控制停炉,解决了停炉时机不好把控的问题,提高了停炉时机确定的准确性,减少了人工的工作量,继而避免停炉时机不合适导致的漏硅、产品品质不达标、整炉单产过低等异常的发生。

    物料供给装置与晶体生长系统

    公开(公告)号:CN109306516A

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201710625399.6

    申请日:2017-07-27

    IPC分类号: C30B15/02 C30B29/06

    摘要: 本发明公开的物料供给装置,用于向炉体内部的坩埚中供给物料,物料供给装置包括喂料机构和至少一个投料通路,喂料机构具有将物料从炉体外部输入炉体内部的喂料通路,至少一个投料通路位于炉体内部且与坩埚相对,喂料通路对接所述至少一个投料通路,物料经喂料通路导入至少一个投料通路并由至少一个投料通路输入坩埚中。本发明公开的晶体生长系统,包括炉体;坩埚,坩埚设置在炉体内部,用于盛装物料;以及如上所述的物料供给装置,物料供给装置用于向坩埚供给物料。本发明满足了大加料量的要求,加料过程与单晶硅棒冷却过程可以并行,缩短了加料时间,提高了单晶硅棒的生产效率,同时提高了外部加料的稳定性和安全性。

    拉晶集控系统及单晶炉
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116479521A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202210039661.X

    申请日:2022-01-13

    摘要: 本发明提供了一种拉晶集控系统及单晶炉,涉及晶体生长技术领域。拉晶集控系统连接各个单晶炉,拉晶集控系统包括:数据采集模块、任务调度模块、远程控制模块;数据采集模块采集各个单晶炉的运行数据;任务调度模块基于拉晶阶段基准信息、各个单晶炉的运行数据,分别生成各个单晶炉对应的调度任务包,并进行调度任务提醒;远程控制模块在接收到与调度任务包对应的任务包控制操作的情况下,将任务包控制操作对应的指令发送至对应的单晶炉,以实现对对应的单晶炉远程操控。代替人工巡视,自动生成单晶炉对应的调度任务,对对应的单晶炉远程操控,无需操作人员去拉晶现场,无需在各个单晶炉之间来回移动,减少了人工工作量,提升了生产效率。

    拉晶控制方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117845321A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202211230943.4

    申请日:2022-10-09

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06 G06F17/15

    摘要: 本申请公开了一种拉晶控制方法、装置、设备及存储介质,其中,拉晶控制方法包括基于拉晶历史数据计算第一系数;基于拉晶历史数据和第一系数计算第二系数,第一系数为单位质量硅液对应的坩埚高度系数,第二系数为单位高度埚位对应的理论液口距系数;基于第一系数和第二系数计算理论液口距;判断理论液口距是否小于液口距阈值,若是,则停止升埚。通过拉晶历史数据计算第一系数,并通过拉晶历史数据和第一系数计算第二系数,且基于第一系数和第二系数计算理论液口距;其不受捕捉线坐标设置异常、热屏倒影不清晰等因素的影响,因此,克服了因捕捉线坐标设置异常、热屏倒影不清晰等因素造成液口距测量不准确,进而导致热屏浸硅的问题发生。

    工艺节点管控方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117364230A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202210769054.9

    申请日:2022-07-01

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种工艺节点管控方法、装置、设备及介质。该方法包括:获取各个直拉单晶设备的运行信息以及工艺节点的预设信息;根据运行信息和预设信息,确定对应的直拉单晶设备当前所处的工艺节点,后续的工艺节点以及预计开始时间;根据各个直拉单晶设备当前所处的工艺节点,后续的工艺节点以及后续的工艺节点的预计开始时间,对各个直拉单晶设备的工艺节点进行管控,使得针对直拉单晶工艺,自动确定当前所处的工艺节点,并预测后续的工艺节点的开始时间,以便据此对直拉单晶的工艺节点进行管控,实现了符合直拉单晶工艺特点的数字化、网络化、智能化的管控,避免人员浪费严重、统计周期较长、信息流转落后、准确性无法保证等问题。

    信息处理方法、系统、存储设备及电子设备

    公开(公告)号:CN116259374A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202111501315.0

    申请日:2021-12-09

    发明人: 李朋朋 闫颖 李靖

    IPC分类号: G16C60/00 C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本公开涉及一种信息处理方法、系统、存储设备及电子设备,涉及硅片生产领域,应用于信息处理系统,信息处理系统包括:制造执行模块、采集模块和呈现模块,该方法包括:通过制造执行模块确定生产任务,并将生产任务的任务标识发送至单晶炉,以控制单晶炉执行生产任务。通过采集模块从单晶炉采集生产任务的任务标识、单晶炉的生产信息和单晶炉的设备运行信息,并从制造执行模块采集生产任务的任务信息和单晶炉的设备属性信息。生产信息为单晶炉执行生产任务的过程中产生的信息。通过采集模块将提示信息发送至呈现模块。通过呈现模块按照预设的呈现形式呈现提示信息,呈现形式包括:图像形式、文字形式、声音形式、震动形式中的至少一种。

    液口距调节方法和单晶炉
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116200816A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202111435699.0

    申请日:2021-11-29

    IPC分类号: C30B15/26 C30B29/06

    摘要: 本公开涉及一种液口距调节方法和单晶炉,应用于单晶炉的液口距调节方法包括:接收控制系统发送的液口距调整参数,液口距调整参数包括目标液口距;若确定单晶炉的当前工况满足预设的放置条件,则根据目标液口距调整单晶炉的坩埚与单晶炉的热屏的高度差。如此,单晶炉可以通过控制系统发送的液口距调整参数调整单晶炉的当前液口距,能够提高液口距的调节效率,同时可以减少人工操作导致的误差。

    物料供给设备与晶体生长系统

    公开(公告)号:CN207091546U

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201720922581.3

    申请日:2017-07-27

    IPC分类号: C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本实用新型公开的物料供给设备,用于向炉体内部的坩埚中供给物料,物料供给设备包括喂料机构和至少一个投料通路,喂料机构具有将物料从炉体外部输入炉体内部的喂料通路,至少一个投料通路位于炉体内部且与坩埚相对,喂料通路对接所述至少一个投料通路,物料经喂料通路导入至少一个投料通路并由至少一个投料通路输入坩埚中。本实用新型公开的晶体生长系统,包括炉体;坩埚,坩埚设置在炉体内部,用于盛装物料;以及如上所述的物料供给设备,物料供给设备用于向坩埚供给物料。本实用新型满足了大加料量的要求,加料过程与单晶硅棒冷却过程可以并行,缩短了加料时间,提高了单晶硅棒的生产效率,同时提高了外部加料的稳定性和安全性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种物料供给装置与晶体生长系统

    公开(公告)号:CN207091550U

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201720923361.2

    申请日:2017-07-27

    IPC分类号: C30B15/02 C30B29/06

    摘要: 本实用新型公开的一种物料供给装置,用于在气密状态下向炉体内部的坩埚中供给物料,物料供给装置包括控料机构和喂料机构,控料机构包括相配合的料筒和螺旋给料器,料筒用于储存物料,螺旋给料器将料筒中的物料定量供给至喂料机构;喂料机构具有喂料通路,喂料通路可相对于炉体延伸或撤回,喂料通路在延伸位置时穿过炉体并将物料从炉体外部输入炉体内部的坩埚中。本实用新型公开的一种晶体生长系统,包括炉体,设置于炉体内部用于盛装物料的坩埚,以及如上所述的一种物料供给装置。本实用新型满足了大加料量的要求,加料过程与单晶硅棒冷却过程可以并行,缩短了加料时间,提高了单晶硅棒的生产效率,同时提高了外部加料的稳定性和安全性。