一种定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料及制备方法及应用

    公开(公告)号:CN116355418A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310506501.6

    申请日:2023-04-28

    IPC分类号: C08L83/04 C08K7/24

    摘要: 本发明提供了一种定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料及制备方法及应用,属于热界面和电子封装材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤:将三聚氰胺二硼酸盐前驱体水凝胶进行定向冷冻处理,随后进行真空冷冻干燥得到三聚氰胺二硼酸盐前驱体气凝胶;将三聚氰胺二硼酸盐前驱体气凝胶进行热解处理,得到定向氮化硼纳米带气凝胶;以定向氮化硼纳米带气凝胶为基体,利用真空辅助浸渍法在基体中均匀填充聚二甲基硅氧烷树脂,并进行固化,得到定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料。所述聚合物基复合材料具有优异的抗拉伸性能、高导热性、优异电绝缘性能和优异机械柔性。

    一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116534841A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310603020.7

    申请日:2023-05-25

    摘要: 本发明提供的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料及其制备方法,包括以下步骤:将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙醇、水、硝酸按照一定比例均匀混合,经过搅拌和干燥后得到硅氧烷干凝胶前驱体;通过碳热还原反应法在高温条件下生长得到氮化硅纳米材料;在高温条件下,通过浮动CVD法将乙醇、乙二胺及二茂铁的混合溶液注射到管式炉中,在氮化硅纳米带表面生长碳纳米管从而制得原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料;本发明为提高氮化硅纳米复合材料的电磁屏蔽性能,利用浮动CVD法将碳纳米管原位生长在氮化硅纳米带材料表面,制备得到具有轻质、柔性及良好的电磁屏蔽性能的碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料。