公开(公告)号：CN108640896B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201810312757.2

申请日：2018-04-09

申请人： 陕西科技大学

发明人： 杨秀芳 ,  王宁宁 ,  陈镝 ,  马养民 ,  雒佳欣 ,  陈璞 ,  庄瑜瑜 ,  侯艳艳

IPC分类号： C07D311/54 ,  A01N43/16 ,  A01P3/00 ,  A01P1/00 ,  A61P31/00 ,  A61P35/00 ,  A61P39/06 ,  C12P17/16 ,  C12R1/66

摘要： 本发明公开了一种Desertorin B及其提取方法和应用，Desertorin B的分子式为C23H20O8，提取步骤如下：(1)在菌种培养基中对猫儿屎内生真菌塔宾曲霉DS37进行菌种培养；(2)在发酵培养基中对步骤(1)中获得的菌种进行发酵培养，然后用石油醚、乙酸乙酯和甲醇浸提若干次，合并提取液并过滤，回收混合溶剂，滤液减压浓缩，得到粗品浸膏，最后经硅胶柱层析得到Desertorin B。本发明制得的Desertorin B有很好的抑制玉米大斑病菌作用，可以用于农业防治和药剂防治技术；并且Desertorin B具有较强的抗MCF‑7和HepG2细胞株活性，可以为抗肿瘤药物的开发提供一种可能；同时，Desertorin B具有一定的抗氧化活性。

公开(公告)号：CN112645295A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202110009539.3

申请日：2021-01-05

申请人： 陕西科技大学

发明人： 许并社 ,  张帅 ,  马淑芳 ,  马寒羽 ,  陈炤汝 ,  侯艳艳 ,  刘青明 ,  席婷

IPC分类号： C01B25/02 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开了一种黑磷纳米带材料及其制备方法，属于黑磷制备技术领域，包括以下步骤：S1、以红磷、碘和锡单质为原料，在密封条件下，程序升温至612‑628℃下进行热处理，之后分段冷却至室温，制备针状黑磷；S2、将S1制备的针状黑磷通过机械或液相剥离法制得黑磷纳米带材料；本发明以红磷、碘和锡为原料，高温处理后，制备针状黑磷，之后通过剥离制得黑磷纳米带材料，该制备方法简单，填补了目前黑磷纳米带材料制备方法的空白，同时也为研究一维纳米材料奠定基础。

公开(公告)号：CN109180518A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201811217031.7

申请日：2018-10-18

申请人： 陕西科技大学

发明人： 张金 ,  侯艳艳 ,  马养民

IPC分类号： C07C233/65 ,  C07C233/75 ,  C07C233/66 ,  C07C231/10 ,  C07D295/192 ,  C07D209/08

摘要： 本发明公开了一种仲/叔酰胺类化合物及其合成方法，在溶剂中加入芳基硅烷和胺类化合物，以及催化剂和添加剂，后在一定压力下通入CO进行羰基化反应后分离提纯即得到仲/叔酰胺。本发明的羰基化反应制备仲/叔酰胺的方法简洁高效，反应直接且原子经济性高，底物来源广泛且稳定。该发明反应体系不需要惰性气体保护，条件温和，在优化的反应条件之下，目标产品易于分离，收率高达92％。

公开(公告)号：CN108640896A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810312757.2

申请日：2018-04-09

申请人： 陕西科技大学

发明人： 杨秀芳 ,  王宁宁 ,  陈镝 ,  马养民 ,  雒佳欣 ,  陈璞 ,  庄瑜瑜 ,  侯艳艳

IPC分类号： C07D311/54 ,  A01N43/16 ,  A01P3/00 ,  A01P1/00 ,  A61P31/00 ,  A61P35/00 ,  A61P39/06 ,  C12P17/16 ,  C12R1/66

CPC分类号： C07D311/54 ,  A01N43/16 ,  A61P31/00 ,  A61P35/00 ,  A61P39/06 ,  C12P17/162

摘要： 本发明公开了一种Desertorin B及其提取方法和应用，Desertorin B的分子式为C23H20O8，提取步骤如下：(1)在菌种培养基中对猫儿屎内生真菌塔宾曲霉DS37进行菌种培养；(2)在发酵培养基中对步骤(1)中获得的菌种进行发酵培养，然后用石油醚、乙酸乙酯和甲醇浸提若干次，合并提取液并过滤，回收混合溶剂，滤液减压浓缩，得到粗品浸膏，最后经硅胶柱层析得到Desertorin B。本发明制得的Desertorin B有很好的抑制玉米大斑病菌作用，可以用于农业防治和药剂防治技术；并且Desertorin B具有较强的抗MCF-7和HepG2细胞株活性，可以为抗肿瘤药物的开发提供一种可能；同时，Desertorin B具有一定的抗氧化活性。

公开(公告)号：CN112830462A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202110150552.0

申请日：2021-02-03

申请人： 陕西科技大学

发明人： 马淑芳 ,  张帅 ,  陈炤汝 ,  马寒羽 ,  侯艳艳 ,  孔庆波 ,  徐阳 ,  许并社

IPC分类号： C01B25/02

摘要： 本发明公开了一种安全高效合成高纯度黑磷的方法，属于黑磷制备技术领域，包括以下步骤：S1、在保护气体氛围下，称取红磷、锡和碘，并密封于反应器内；S2、将S1中的反应器升温至480～490℃，进行热处理，之后冷却至室温，制得黑磷晶体；热处理过程中反应器内的压强为：70％×反应器内所能承受的最大压强～反应器内所能承受的最大压强；本发明提供的所述安全高效合成高纯度黑磷的方法，通过对反应过程中的压强进行有效控制，有效降低制备高纯度黑磷的危险性，生产效率高，适合大规模制备。

公开(公告)号：CN109180518B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201811217031.7

申请日：2018-10-18

申请人： 陕西科技大学

发明人： 张金 ,  侯艳艳 ,  马养民

IPC分类号： C07C233/65 ,  C07C233/75 ,  C07C233/66 ,  C07C231/10 ,  C07D295/192 ,  C07D209/08

摘要： 本发明公开了一种仲/叔酰胺类化合物及其合成方法，在溶剂中加入芳基硅烷和胺类化合物，以及催化剂和添加剂，后在一定压力下通入CO进行羰基化反应后分离提纯即得到仲/叔酰胺。本发明的羰基化反应制备仲/叔酰胺的方法简洁高效，反应直接且原子经济性高，底物来源广泛且稳定。该发明反应体系不需要惰性气体保护，条件温和，在优化的反应条件之下，目标产品易于分离，收率高达92％。

公开(公告)号：CN110335904B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201910620764.3

申请日：2019-07-10

申请人： 陕西科技大学

发明人： 单恒升 ,  侯艳艳 ,  马淑芳 ,  邢茹萍 ,  席婷 ,  郝晓东 ,  许并社

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/042

摘要： 本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p‑GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p‑GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。

公开(公告)号：CN110504334A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910801723.4

申请日：2019-08-28

申请人： 陕西科技大学

发明人： 许并社 ,  单恒升 ,  马淑芳 ,  邢茹萍 ,  尚林 ,  侯艳艳 ,  郝晓东 ,  宁丹丹

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种高In组分的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底；衬底上依次设有GaN成核层、GaN本征层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上表面一侧具有一台面，台面上设有n型电极，n型掺杂GaN层的上表面依次层叠设有非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、p型掺杂GaN层、p型高掺杂GaN层和多个p型电极，相邻p型电极通过透明电极层连接；非掺杂InGaN/GaN多量子阱层由InxGa1-xN/GaN多层结构组成，其中0.1≤x≤0.2，InxGa1-xN阱层在745～785℃沉积得到。本发明通过优化InGaN阱层的生长温度，获得在高In含量下仍具有较低位错密度、高生长质量的外延片以及相应的高开路电压的太阳能电池。

公开(公告)号：CN110335904A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910620764.3

申请日：2019-07-10

申请人： 陕西科技大学

发明人： 单恒升 ,  侯艳艳 ,  马淑芳 ,  邢茹萍 ,  席婷 ,  郝晓东 ,  许并社

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/042

摘要： 本发明公开了一种插入AlInGaN势垒层结构的InGaN/GaN多量子阱太阳能电池，包括一衬底，衬底上依次设有GaN层和n型掺杂GaN层，n型掺杂GaN层上一侧有一台面，n型掺杂GaN层上表面依次设有超晶格层、非掺杂GaN缓冲层、非掺杂InGaN/GaN多量子阱层、GaN势垒层、AlInGaN势垒层和p型掺杂GaN层，p型掺杂GaN层上设有多个p型电极，p型电极之间通过透明电极层连接；n型掺杂GaN层台面上设有n型电极。本发明通过在外延p-GaN之前插入一层AllnGaN层来对改进p-GaN结构，使该层结构具有较好的晶格匹配和较低的热膨胀系数，空穴载流子的输运效率提高，光电转化率达到1.96％。

公开(公告)号：CN201003944Y

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200720031213.6

申请日：2007-02-09

申请人： 陕西科技大学

发明人： 宁铎 ,  马建中 ,  辛登科 ,  王蒙军 ,  狄亮 ,  吴彦锐 ,  姚玺 ,  侯艳艳

IPC分类号： G01B7/06 ,  G01B3/18

摘要： 一种皮革厚度测定仪，包括U形手把，手把的一端固定有测量臂，手把的另一端设置有与恒力弹簧相连接的另一测量臂，两测量臂相对设置，恒力弹簧通过数据线与定时、显示电路相连接，且在恒力弹簧的后端还连接有递进旋钮。由于本实用新型一改过去的机械法测量为电子法测量，同时整个测量过程通过定时、显示电路完全，实现了自动化，彻底排除了人为因素的影响；而且操作方便简单，甚至可以不用取样就能够直接对被测皮革进行测量。