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公开(公告)号:CN106876083A
公开(公告)日:2017-06-20
申请号:CN201610817552.0
申请日:2016-09-12
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: H01F3/10 , H01F27/255 , H01F27/28 , G06Q10/06
CPC classification number: H01F3/10 , G06Q10/0639 , H01F27/255 , H01F27/2847 , H01F2003/106 , H01F2017/0093
Abstract: 本发明提供一种具有接合了两个芯的磁芯且实现了动作的最优化的电感元件及其评价方法。将第一芯的最小磁路截面积与第二芯的最小磁路截面积之比和第二芯的导磁率的积作为评价的基准,对多个使用了各磁芯的电感元件的电感器性能指数(μH·A/T·mm3)进行评价。其结果是,通过使所述积为18以上且80以下,从而能够得到性能优异的电感元件。
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公开(公告)号:CN1121236A
公开(公告)日:1996-04-24
申请号:CN95108121.7
申请日:1995-07-12
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G11B5/187
Abstract: 在磁头记录介质的滑动表面形成一层保护膜,可补偿因其寿命造成间距损失导致的再现输出下降。当保护膜形成时,其厚度会使输出下降。为了补偿上述下降,通过使磁隙长度G1和磁隙深度Gd小于基准值(即G1=1.5μm,Gd=0.2mm),可降低磁隙损失,改善再现效率,增大再现灵敏度,补偿间距损失。通过附图所述方式组合G1和Gd,可完全补偿相对于每一种保护膜厚度的间距损失。通过使G1和Gd小于基准值,也可适当补偿间距损失。
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公开(公告)号:CN1169120C
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN98119399.4
申请日:1998-09-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社 , 斋藤秀俊
CPC classification number: G11B21/21 , G11B5/4826 , G11B5/60 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明涉及一种磁头及其制造方法,它由滑块和设在该滑块的从动端端部上,具有NiFe系合金层的磁性记录和/或再现用的薄膜元件构成,由于对磁芯层(13,15)的表面进行研磨等操作,将构成前述磁芯层(13,15)表面的α相膜做得非常薄,因此,即使直接形成碳膜(10),在α相之间也可产生适当的扩散,这样,在前述碳膜(10)上,不会产生剥离或斑。
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公开(公告)号:CN1065061C
公开(公告)日:2001-04-25
申请号:CN95108121.7
申请日:1995-07-12
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
Abstract: 一种在其滑动面上设有保护膜的磁头,由设置保护膜而产生的间距损失以及再现输出下降可通过下述而得到补偿;确定再生效率X为82%-84%时的磁隙的长G1、深Gd、宽Gw,以此作为基准值;使所述长G1和深Gd中的至少一个小于所述基准值来补偿所造成的间距损失Ls;从间距损失Ls减去磁隙损失Lg的改善量,求出应补偿的再生灵敏度,及可补偿再生灵敏度的再生效率X;且使所述长G1和深Gd中的至少一个小于基于所述X求出的长G1值和深Gd值。
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公开(公告)号:CN1213815A
公开(公告)日:1999-04-14
申请号:CN98119399.4
申请日:1998-09-25
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社 , 斋藤秀俊
CPC classification number: G11B21/21 , G11B5/4826 , G11B5/60 , Y10T29/49052
Abstract: 本发明涉及一种磁头及其制造方法,它由滑块和设在该滑块的从动端端部上,具有NiFe系合金层的磁性记录和/或再现用的薄膜元件构成,由于对磁芯层13,15的表面进行研磨等操作,将构成前述磁芯层13,15表面的α相膜做得非常薄,因此,即使直接形成碳膜10,在α相之间也可产生适当的扩散,这样,在前述碳膜10上,不会产生剥离或斑。
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公开(公告)号:CN1062964C
公开(公告)日:2001-03-07
申请号:CN95108193.4
申请日:1995-07-20
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
IPC: G11B5/255
Abstract: 一种磁头,它的结构构成为在记录介质滑动的滑动表面上设有屏蔽板、磁芯、屏蔽壳以及填充屏蔽板、磁芯和屏蔽壳之间的间隙的树脂,且在所述滑动表面上形成厚度约为1,000A~1,500A的保护膜;其中,所述磁芯、屏蔽板或屏蔽壳中至少一个的表面中心线平均粗糙度Ra在5nm以上、50nm以下,并且所述磁芯、屏蔽板或屏蔽壳中至少一个的维氏硬度Hv在140以上、950以下。由此可防止保护膜剥落及磁带降级,并能长期维持保护膜的功能。
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