公开(公告)号：CN1111843C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN99103189.X

申请日：1999-03-25

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫

IPC: G11B5/255

Abstract: 本发明使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合磁芯的各个磁芯片用的树脂。保护膜14的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上，在滑动面1a上形成上述保护膜。这样，上述保护膜难以剥离，可以制造耐磨性好的磁头。

公开(公告)号：CN1121236A

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：CN95108121.7

申请日：1995-07-12

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫 ,  佐藤隆 ,  志贺健治 ,  饭塚雅博 ,  登坂修

IPC: G11B5/187

Abstract: 在磁头记录介质的滑动表面形成一层保护膜，可补偿因其寿命造成间距损失导致的再现输出下降。当保护膜形成时，其厚度会使输出下降。为了补偿上述下降，通过使磁隙长度G1和磁隙深度Gd小于基准值(即G1＝1.5μm，Gd＝0.2mm)，可降低磁隙损失，改善再现效率，增大再现灵敏度，补偿间距损失。通过附图所述方式组合G1和Gd，可完全补偿相对于每一种保护膜厚度的间距损失。通过使G1和Gd小于基准值，也可适当补偿间距损失。

公开(公告)号：CN1062964C

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN95108193.4

申请日：1995-07-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫 ,  佐藤隆 ,  志贺健治 ,  饭塚雅博 ,  登坂修

IPC: G11B5/255

Abstract: 一种磁头，它的结构构成为在记录介质滑动的滑动表面上设有屏蔽板、磁芯、屏蔽壳以及填充屏蔽板、磁芯和屏蔽壳之间的间隙的树脂，且在所述滑动表面上形成厚度约为1,000A～1,500A的保护膜；其中，所述磁芯、屏蔽板或屏蔽壳中至少一个的表面中心线平均粗糙度Ra在5nm以上、50nm以下，并且所述磁芯、屏蔽板或屏蔽壳中至少一个的维氏硬度Hv在140以上、950以下。由此可防止保护膜剥落及磁带降级，并能长期维持保护膜的功能。

公开(公告)号：CN1231470A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN99103189.X

申请日：1999-03-25

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫

IPC: G11B5/187

Abstract: 本发明使用利用酸酐类固化剂的环氧树脂作为接合磁芯的各个磁芯片用的树脂。保护膜14的(200)面/(111)面的结晶定向强度比在3.0以上,在滑动面1a上形成上述保护膜。这样,上述保护膜难以剥离,可以制造耐磨性好的磁头。

公开(公告)号：CN1065061C

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN95108121.7

申请日：1995-07-12

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫 ,  佐藤隆 ,  志贺健治 ,  饭塚雅博 ,  登坂修

IPC: G11B5/23 ,  G11B5/255

Abstract: 一种在其滑动面上设有保护膜的磁头，由设置保护膜而产生的间距损失以及再现输出下降可通过下述而得到补偿；确定再生效率X为82%-84%时的磁隙的长G1、深Gd、宽Gw，以此作为基准值；使所述长G1和深Gd中的至少一个小于所述基准值来补偿所造成的间距损失Ls；从间距损失Ls减去磁隙损失Lg的改善量，求出应补偿的再生灵敏度，及可补偿再生灵敏度的再生效率X；且使所述长G1和深Gd中的至少一个小于基于所述X求出的长G1值和深Gd值。

公开(公告)号：CN1118916A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95108193.4

申请日：1995-07-20

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 上原敏夫 ,  佐藤隆 ,  志贺健治 ,  饭雅博 ,  登坂修

IPC: G11B5/255

Abstract: 本发明可防止滑动表面上有保护膜的磁头，在磁带长期滑时，由剥落等产生的保护膜损坏，并能长期维持膜的功能。当作为保护膜金属衬底的磁心3及屏蔽板2a和2b的硬度过低时，保护膜的粘附力减少并易于引起膜剥落。反之，磁带的磁层则受到损害，且磁带被降级。因此，磁心3及屏蔽板2a和2b的维氏硬度被调整到140至950的范围中，且当金属衬底由坡莫合金作成时，该硬度在140至220的范围中，由此可防止膜剥落及磁带降级。