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公开(公告)号:CN101410995B
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200780011144.5
申请日:2007-03-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/501 , H01L33/644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H05B33/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种电流变化和温度变化所带来的光色变动较小的发光装置,该发光装置通过合成半导体发光元件的发光色和荧光体的发光色而得到颜色。其中,在GaN占主体而发出蓝光的半导体发光元件上设置荧光层,并在荧光层上设置属于YAG荧光体的荧光粒子(21)。合成上述蓝光和荧光粒子(21)所发出的黄光而得到白光。二氧化硅等微粒子(22)附着于构成荧光层的荧光粒子(5)的外周上,并且粒子之间形成空气层(23)。该空气层(23)起到隔热层的作用,能够抑制当周围温度变高时荧光粒子(21)的温度上升。因此,荧光粒子(21)的发光效率就很难变动,从而可抑制发光色引起变化。
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公开(公告)号:CN101410995A
公开(公告)日:2009-04-15
申请号:CN200780011144.5
申请日:2007-03-13
Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , H01L33/501 , H01L33/644 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H05B33/22 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种电流变化和温度变化所带来的光色变动较小的发光装置,该发光装置通过合成半导体发光元件的发光色和荧光体的发光色而得到颜色。其中,在GaN占主体而发出蓝光的半导体发光元件上设置荧光层,并在荧光层上设置属于YAG荧光体的荧光粒子(21)。合成上述蓝光和荧光粒子(21)所发出的黄光而得到白光。二氧化硅等微粒子(22)附着于构成荧光层的荧光粒子(5)的外周上,并且粒子之间形成空气层(23)。该空气层(23)起到隔热层的作用,能够抑制当周围温度变高时荧光粒子(21)的温度上升。因此,荧光粒子(21)的发光效率就很难变动,从而可抑制发光色引起变化。
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