公开(公告)号：CN1311484C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200310115610.8

申请日：2003-11-10

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 长濑胜美 ,  山村宪

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/00 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09763

Abstract: 本发明是一种在下层电镀电极上夹持电介质并形成上层电镀电极的薄膜电容器的形成方法，首先，在形成于基板上的下层电镀种膜上，使其位于特定范围地形成下层电镀电极。在基板表面整体上，形成覆盖下层电镀电极的电介质。接着，利用光刻技术，在电介质上形成确定覆盖下层电镀电极的电介质图案的抗蚀层，将未被该抗蚀层覆盖的电介质及位于该电介质下层的下层电镀种膜除去，使基板从该除去部分露出。然后，将抗蚀层除去，使下层电镀电极上的电介质露出。而且，横跨露出的电介质周围与基板，形成决定电容器容量的保护电桥之后，在该保护电桥及电介质上隔着上层电镀种膜形成上层电镀电极。由此，可以形成漏电流少且高耐压的薄膜电容器。

公开(公告)号：CN1503284A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310115610.8

申请日：2003-11-10

Applicant: 阿尔卑斯电气株式会社

Inventor： 长濑胜美 ,  山村宪

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/00 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/064 ,  H05K3/108 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09763

Abstract: 本发明是一种在下层电镀电极上夹持电介质并形成上层电镀电极的薄膜电容器的形成方法，首先，在形成于基板上的下层电镀种膜上，使其位于特定范围地形成下层电镀电极。在基板表面整体上，形成覆盖下层电镀电极的电介质。接着，利用光刻技术，在电介质上形成确定覆盖下层电镀电极的电介质图案的抗蚀层，将未被该抗蚀层覆盖的电介质及位于该电介质下层的下层电镀种膜除去，使基板从该除去部分露出。然后，将抗蚀层除去，使下层电镀电极上的电介质露出。而且，横跨露出的电介质周围与基板，形成决定电容器容量的保护电桥之后，在该保护电桥及电介质上隔着上层电镀种膜形成上层电镀电极。由此，可以形成漏电流少且高耐压的薄膜电容器。