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公开(公告)号:CN116960235A
公开(公告)日:2023-10-27
申请号:CN202310326456.6
申请日:2023-03-30
申请人: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC分类号: H01L33/00 , H01L21/683
摘要: 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章,包括软壳、硬核和基板层;所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层,包覆于具有高机械强度的硬核之外,构成转移头;所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
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公开(公告)号:CN117012876A
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202310896262.X
申请日:2023-07-20
申请人: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
摘要: 本发明涉及一种仿螺腹足肌肉结构粘附的低密度Micro LED自键合结构,该自键合结构包括外部驱动基板,外部驱动基板上设置有若干电极,电极上设置有金属凸点,部分或全部相邻的电极之间设置有空腔,空腔上方设置有纳米团块颗粒。本发明自键合结构的空腔内形成负压,纳米团块颗粒与空腔形成的仿螺腹足肌肉结构导致外部驱动基板与Micro LED芯片阵列之间的摩擦力增大,从而固定Micro LED芯片阵列,避免错位。该自键合结构的仿螺腹足肌肉结构的尺寸、大小等可以根据需要来改变,适应不同的Micro LED自键合。
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公开(公告)号:CN117334588A
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN202311329127.3
申请日:2023-10-13
申请人: 闽都创新实验室 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC分类号: H01L21/60
摘要: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法,包括对镀液进行浸润性调配;在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后,进行等离子体表面处理,得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面;将制备的衬底对位贴合,密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液,实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联;有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题,克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉,生产效率较高,安全性较高,可应用于高密度封装器件中。
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