基于超浸润体系的金属自生长互联的方法

    公开(公告)号:CN117334588A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311329127.3

    申请日:2023-10-13

    IPC分类号: H01L21/60

    摘要: 本发明涉及基于超浸润体系的金属自生长互联的方法,包括对镀液进行浸润性调配;在Micro‑LED和CMOS电路的目标衬底表面进行图案化后,进行等离子体表面处理,得到Micro‑LED和CMOS电路的亲水性图案化表面;将制备的衬底对位贴合,密封于微流控通道内注入浸润性调配的镀液,实现Micro‑LED和CMOS电路的金属凸点自生长及互联;有效解决高密度Micro‑LED金属凸点制备过程中存在瘤状物、均匀性差、尺寸较大的问题,克服了传统高密度Micro‑LED与CMOS电路键合工艺对大压力键合的苛刻要求。该工艺成本低廉,生产效率较高,安全性较高,可应用于高密度封装器件中。