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公开(公告)号：CN113937243B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202110984776.1
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种基于基板表面亲疏水性处理的高PPI量子点阵列制备方法。先将基板浸入H2SO4:H2O2为3:1(v:v)的溶液中，从而使基板表面获得羟基，增加亲水性。接着利用含有阵列的PDMS模板将溶于己烷的十八烷基三氯硅烷(OTS)转移至基板上，形成具有亲疏水性图形化的基板，最后利用LB技术将量子点在基板上自组装形成高PPI量子点阵列。该方法具有方法简单，扩展性强，可在同层制备不同材料的优势。
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公开(公告)号：CN113937242B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110984773.8
申请日：2021-08-26
Abstract: 本发明涉及一种超精细化量子点薄膜及其高分辨QLED制备方法。首先通过光刻方法制备像素bank结构的模板。此外，量子点薄膜通过自组装的方法在PDMS印章上形成。再将上述的PDMS印章和像素bank结构的模板接触并进行加热。PDMS印章在80℃加热过程中粘性减弱，导致所接触部分的量子点被像素bank模板带走，剩余的量子点构成超精细的像素图案。最后将上述的PDMS印章贴合到空穴传输层上，依次按压、分离PDMS印章，使超精细像素化的量子点薄膜被转印到空穴传输层上。这里采用的构图技术使量子点薄膜有着超精细的像素点且制备的像素点均匀。最终使QLED器件的像素尺寸可缩小至几微米甚至微米以下，从而获得高亮度的超高分辨率显示像素单元，可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN113937230B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110984774.2
申请日：2021-08-26
IPC: H10K50/115 , H10K71/13
Abstract: 本发明涉及一种一步法转印制备高性能的超高分辨QLED。首先制备一种微结构圆柱的PDMS印章，然后将绝缘材料填充至微结构的底部。再将附有绝缘材料的PDMS印章去粘单层的量子点LB膜，使量子点被拾取到微结构顶部。最后将上述印章贴合到空穴传输层上，加热印章使绝缘材料和像素化量子点一起被转印到空穴传输层上。设计和制备不同尺寸印章并且采用转移印刷与LB膜技术相结合的方法，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，并通过在QD像素之间嵌入绝缘材料，作为电荷阻挡层。最终制备的高分辨QLED解决了器件中漏电流问题，这种高性能的超高分辨QLED可应用下一代显示。
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公开(公告)号：CN116528632A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310554258.5
申请日：2023-05-17
IPC: H10K71/00 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K71/12
Abstract: 本发明涉及一种离子液体改进蓝光硒化镉QLED空穴传输能力的方法，包括疏水性离子液体1‑丁基‑3‑甲基咪唑六氟化磷盐（BMIMPF6），量子点发光二极管器件。通过将一定量的BMIMPF6掺杂在传统的空穴传输材料聚[(9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基)‑co‑(4,4′‑(N‑(4‑仲丁基苯基)二苯胺)]（TFB）中，与TFB溶液完全混合、相溶。本发明通过使用导电性良好的离子液体BMIMPF6掺杂在导电聚合物TFB中，使得蓝光QLED器件的开启电压、外量子效率与器件寿命都得到一定提升，解决了蓝光硒化镉器件高开启电压与低稳定性的问题。
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公开(公告)号：CN113512416B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110848617.9
申请日：2021-07-27
Abstract: 本发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法，其是在以卤化锌为催化剂的条件下，将铟源与磷源经反应制成磷化铟核，然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷，再在其表面包覆一层ZnS外壳，以提高量子点的稳定性以及发光效率，最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合，进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属，对环境十分友好，并能溶于水，扩大了量子点的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115377339A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211162470.9
申请日：2022-09-23
Abstract: 本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
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公开(公告)号：CN112625681B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011585748.4
申请日：2020-12-29
Abstract: 本发明公开了一种蓝光InP/ZnS量子点及其制备方法和在QLED器件中的应用，本发明将铟源、磷源、碘化锌、油胺、硬脂酸锌、1‑十二硫醇、1‑十八烯置于50ml烧瓶中，在氮气的环境下,控制不同温度和反应时间分别形成InP核和ZnS外壳，进而得到发出纯蓝光的InP/ZnS量子点。本发明利用一锅法合成InP/ZnS量子点与传统的方法相比，简单更节省时间，且合成的量子点壳与核之间的晶格失配度更低，缺陷更少，具有更高的荧光量子效率，传统的方法合成的蓝色量子点发光峰波长大都为470nm以上，而本发明的量子点发光峰波长为470nm以下为纯蓝光，制备的QLED相对比镉系量子点具有无毒的优势，更有利于商业化。
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公开(公告)号：CN112701230A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011538453.1
申请日：2020-12-23
Abstract: 本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。先在辅助衬底上制备一层ZnO纳米薄膜，然后将预先制备的粘性弹性体PDMS贴合在ZnO薄膜上，利用弹性体PDMS的粘性吸附ZnO纳米薄膜，将PDMS/ZnO与辅助衬底分离。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
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公开(公告)号：CN112510163A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011427013.9
申请日：2020-12-09
Abstract: 本发明涉及一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法。采用平面层状多膜层结构，包括基板、阴极层、电子传输层、LB膜修饰层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极层；其中，所述LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，以LB膜修饰层对电子传输层/量子点发光层进行界面修饰。本发明LB膜修饰层是利用LB拉膜机制备的有机聚合物薄膜，其制备方法简单，聚合物分子有序排列，膜厚精准可控等优点，可以通过重复LB拉膜步骤实现对有机聚合物LB膜层数的控制。以这种高质量LB膜作为器件的界面修饰层，不仅可以精准限制电子注入进一步提高电荷平衡，还可以钝化界面处的缺陷提高辐射复合效率，从而有效提高量子点发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN112625680B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011595963.2
申请日：2020-12-29
IPC: C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种提升混合卤素钙钛矿稳定性的方法，其是将混合卤化铅和四正辛基溴化铵混合溶于甲苯中得到溶液A；将碳酸铯、碳酸铷溶于正辛酸中得到溶液B；将乙酸甲脒溶于正辛酸中得到溶液C；将双十二烷基二甲基溴化铵溶于甲苯中得到溶液D；再将溶液B、C混合后迅速加入溶液A中，在室温、磁力搅拌条件下加入溶液D，并加入乙酸乙酯进行萃取，最终得到所述混合卤素钙钛矿。按本发明方法进行处理，可使获得的混合卤素钙钛矿材料具有较好的稳定性和光电性能，将其应用于钙钛矿发光器件的制备，具有较高的亮度和稳定性。
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