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公开(公告)号:CN116936536A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202210332067.X
申请日:2022-03-31
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L23/544 , G01N27/00
Abstract: 本公开提供一种损伤检测结构及半导体器件。损伤检测结构包括至少三层金属层,相邻金属层之间设置有互连通孔层;还包括多个检测单元,检测单元包括中间金属段以及至少两个金属段组,每个金属段组包括位于同一金属层中且间隔设置的第一金属段和第二金属段,中间金属段与各金属段组位于不同的金属层,且不同的金属段组位于不同的金属层,沿由中间金属段向金属段组的方向上,远离中间金属段的金属段组中的第一金属段和第二金属段外侧端点之间的距离,大于靠近中间金属段的金属段组中的第一金属段和第二金属段外侧端点之间的距离。本公开提供的损伤检测结构,既能够提高检测单元的检测准确性,又能够节约成本。
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公开(公告)号:CN118038924A
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN202211358049.5
申请日:2022-11-01
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: G11C11/401 , G11C11/4093
Abstract: 本公开涉及半导体结构及版图设计领域,特别涉及一种数据缓冲电路结构、多数据缓冲电路的布局结构及存储器,数据缓冲电路结构包括:第一放大电路模块、第二放大电路模块、均衡决策电路模块及电源模块,第一放大电路模块的输出端、第二放大电路模块的输入端和均衡决策电路模块的调节输出端通过信号线连接;电源模块包括第一电源提供单元和第二电源提供单元,第一电源提供单元与第一放大电路模块之间的最小距离小于第一电源提供单元与第二放大电路模块之间的最小距离;第二电源提供单元与第二放大电路模块之间的最小距离小于第二电源提供单元与第一放大电路模块之间的最小距离,以减小电源提供模块的连线长度,进而优化数据缓冲电路的性能。
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公开(公告)号:CN116314173A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202111564844.5
申请日:2021-12-20
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L29/06 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供一种半导体器件及版图结构,在半导体器件中将第一类型的保护环设置在第二类型的晶体管的至少一侧、第二类型的保护环设置在第一类型的晶体管的至少一侧,使得半导体版图结构中第一金属层中的多条信号线可以设置在第一电源线和第一接地线之间,并且第二金属层中通过多条第二电源线连接一条第一电源线、多条第二接地线连接一条第一接地线的形式,减少了第一金属层中第一电源线和第一接地线的宽度,进而实现了减少半导体版图结构尺寸的技术效果。
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公开(公告)号:CN115148792A
公开(公告)日:2022-10-04
申请号:CN202210744998.0
申请日:2022-06-27
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件及其制备方法,涉及半导体技术领域。该半导体器件包括:衬底以及设置于衬底同侧的发射区和基区;发射区具有第一导电类型,且被配置为中空体结构;基区具有第二导电类型,且被配置为与中空体结构的底壁及内侧壁相接触。本公开提供的半导体器件通过将发射区的形状设置为中空体结构,使得发射区的底壁以及内侧壁与基区相接触,增大了发射区与基区的有效接触面积,进而增大了器件的增益,提高了器件的性能。
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公开(公告)号:CN116072178A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202310105095.2
申请日:2023-01-29
Applicant: 长鑫存储技术有限公司
IPC: G11C11/4063 , G11C11/409
Abstract: 本申请提供一种数据采样电路的布局结构及方法。该布局结构包括:多个数据信号模块,多个数据信号模块沿第一方向间隔排布;选通信号模块,用于产生选通信号,数据采样电路用于根据选通信号从数据信号模块读取数据信号,或者将数据信号写入数据信号模块;多根信号线,多根信号线与多个数据信号模块一一对应,信号线的一端连接选通信号模块,信号线的另一端连接对应的数据信号模块;其中,至少一根信号线上设置有补偿电阻,用于使选通信号到达任意两个数据信号模块的延时的差值小于预设阈值。本申请通过补偿电阻调节传输阻抗,平衡传输时长,提高选通信号到达每个数据信号模块的一致性,进而保证数据读出写入的准确性。
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