非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵

    公开(公告)号:CN110011179A

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201910322106.6

    申请日:2019-04-22

    摘要: 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵,光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中,自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放,最上方为阵列基片;阵列基片的数量为3~5个;阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成,所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列,所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方,后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。

    非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列

    公开(公告)号:CN109921284A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910322031.1

    申请日:2019-04-22

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/10

    摘要: 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列属于半导体激光器技术领域。现有半导体激光器线列叠阵在光束整形、输出耦合上面临多重技术难题。在本发明中,构成激光器阵列的激光器单管为非对称微盘腔边发射半导体激光器;前排激光器线列、后排激光器线列位于同一衬底上,在前排激光器线列中,3~4个激光器单管按相同几何中心距一字排列,在后排激光器线列中,2~4个激光器单管按相同几何中心距一字排列,前排激光器线列中的激光器单管几何中心距与后排激光器线列中的各个激光器单管几何中心距相同;所述各个激光器单管出光方向相同且朝向前方,后排激光器线列中的激光器单管出射光光轴与前排激光器线列中最近接的激光器单管的几何中心相距二分之一几何中心距。

    非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵

    公开(公告)号:CN110011179B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201910322106.6

    申请日:2019-04-22

    摘要: 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列叠阵属于半导体激光器技术领域。现有技术由多个线列叠加构成叠阵,光束整形、输出耦合等后续环节存在的技术难题更为突出。在本发明中,自热沉起由下而上若干阵列基片、微通道散热板交替叠放,最上方为阵列基片;阵列基片的数量为3~5个;阵列基片由衬底及在衬底上通过刻蚀制作的、以阵列方式排列的若干非对称微盘腔构成,所述阵列方式是指若干非对称微盘腔按相同几何中心距分别一字排列成前排激光器线列、后排激光器线列,所述各个非对称微盘腔出光方向相同且朝向前方,后排激光器线列中的非对称微盘腔出射光光轴与前排激光器线列中最接近的非对称微盘腔的几何中心相距二分之一几何中心距。

    非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列

    公开(公告)号:CN109921284B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201910322031.1

    申请日:2019-04-22

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/10

    摘要: 非对称微盘腔边发射半导体激光器阵列属于半导体激光器技术领域。现有半导体激光器线列叠阵在光束整形、输出耦合上面临多重技术难题。在本发明中,构成激光器阵列的激光器单管为非对称微盘腔边发射半导体激光器;前排激光器线列、后排激光器线列位于同一衬底上,在前排激光器线列中,3~4个激光器单管按相同几何中心距一字排列,在后排激光器线列中,2~4个激光器单管按相同几何中心距一字排列,前排激光器线列中的激光器单管几何中心距与后排激光器线列中的各个激光器单管几何中心距相同;所述各个激光器单管出光方向相同且朝向前方,后排激光器线列中的激光器单管出射光光轴与前排激光器线列中最近接的激光器单管的几何中心相距二分之一几何中心距。