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公开(公告)号：CN118373683A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410427682.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 长安大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种黑色缺氧氧化锆陶瓷的制备方法，涉及电子陶瓷加工制备领域。本发明首先在块体氧化锆陶瓷上施加电场和热场，经过一定时间后，氧化锆陶瓷中通过电流，电子开始注入到氧化锆陶瓷中，等电子持续注入一定时间后，得到黑色的缺氧氧化锆陶瓷。本发明提供了一种工艺简单的制备方法，可制备不同尺寸的黑色缺氧化锆陶瓷材料，所制备的黑色缺氧氧化锆陶瓷带隙小，具有良好的光吸收性能。
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