一种相对论磁控管用永磁磁路系统

    公开(公告)号:CN109166779B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201810952890.4

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本发明涉及高功率微波技术领域,具体涉及一种相对论磁控管用永磁磁路系统。该磁路系统包括阳极筒(1)、外部磁路和内部磁路;所述外部磁路位于阳极筒(1)外,所述内部磁路位于阳极筒(1)内,所述外部磁路包括两个辐向取向永磁环(2)和连接所述两个辐向取向永磁环(2)的轭铁(3),内部磁路包括两个聚磁极靴(4)。本发明设计的外部磁路和内部磁路结构,能有效减小漏磁场,提高相对论磁控管工作区轴向磁场的均匀性。本发明可以有效减轻磁路系统的整体重量。本发明的永磁磁路系统可以长时间稳定的为相对论磁控管提供均匀性较好的工作磁场,满足其工作时的高功率微波输出。

    一种低涡流损耗烧结稀土永磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN109285650A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811276769.0

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种低涡流损耗烧结稀土永磁体及其制备方法,该永磁体包括两个以上永磁体单元和永磁体单元之间的绝缘层,所述绝缘层由柔性绝缘纤维和涂覆在柔性绝缘纤维上的绝缘胶构成。其制备方法包括如下步骤:(1)通过合金熔炼-制粉-磁场取向成型-烧结-回火工序制备烧结永磁体毛坯;(2)将永磁体毛坯加工成永磁体单元;(3)永磁体单元进行清洗除油;(4)永磁单元粘接面均匀涂覆绝缘胶,柔性绝缘纤维放置于两块相邻永磁单元粘接面中间,将不同永磁单元紧固在一起,保证彼此之间不发生位移;(5)对绝缘胶进行固化。本发明的低涡流损耗烧结稀土永磁体解决了现有降低涡流损耗工艺所存在的磁性能下降较多,制备工艺复杂,绝缘可靠性不高等问题。

    一种相对论磁控管用永磁磁路系统

    公开(公告)号:CN109166779A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201810952890.4

    申请日:2018-08-21

    Abstract: 本发明涉及高功率微波技术领域,具体涉及一种相对论磁控管用永磁磁路系统。该磁路系统包括阳极筒(1)、外部磁路和内部磁路;所述外部磁路位于阳极筒(1)外,所述内部磁路位于阳极筒(1)内,所述外部磁路包括两个辐向取向永磁环(2)和连接所述两个辐向取向永磁环(2)的轭铁(3),内部磁路包括两个聚磁极靴(4)。本发明设计的外部磁路和内部磁路结构,能有效减小漏磁场,提高相对论磁控管工作区轴向磁场的均匀性。本发明可以有效减轻磁路系统的整体重量。本发明的永磁磁路系统可以长时间稳定的为相对论磁控管提供均匀性较好的工作磁场,满足其工作时的高功率微波输出。

    一种高温度稳定性稀土钴永磁材料及制备方法

    公开(公告)号:CN119811813A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411821276.6

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明涉及一种高温度稳定性稀土钴永磁材料及制备方法,属于稀土永磁材料技术领域,解决了现有技术中永磁材料温度稳定性差,温度系数和磁通变化大的问题。一种高温度稳定性稀土钴永磁材料,由A合金和B合金按质量比例复合制备而成,其中A合金质量占比50%~80%;所述A合金中包括2~4种稀土元素,其中Gd元素在稀土元素中含量占比不小于50%;所述B合金中包括2~4种稀土元素,其中Sm元素在稀土元素中含量不小于80%。实现了高温度稳定性稀土钴永磁材料的制备。

    一种高矫顽力共伴生稀土永磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN107799251A

    公开(公告)日:2018-03-13

    申请号:CN201711160173.X

    申请日:2017-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种高矫顽力共伴生稀土永磁体及其制备方法。该永磁体包括毛坯磁体和渗透重稀土HR,其中HR按质量百分比含量计算占最终永磁体的比例为:0<HR<2%;该永磁体通过如下步骤制备的:共伴生稀土毛坯磁体制备、涂覆渗透及渗透热处理;所述渗透重稀土HR是选自重稀土元素Tb、Dy和Ho中的一种或多种元素,来自于涂覆渗透步骤中的渗透材料,该渗透材料选自相应重稀土的金属、合金、氟化物、氧化物、氟氧化物中的至少一种。本发明通过渗透方法加入重稀土元素,对共伴生稀土永磁体的矫顽力进行改善,不仅可以在保证磁体性能的前提下,减少重稀土的使用节约生产成本,可以使共伴生磁体应用于高端领域。

    一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法

    公开(公告)号:CN119811880A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411792047.6

    申请日:2024-12-06

    Abstract: 本发明涉及一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法,属于磁场均匀性控制技术领域,解决了现有技术中磁环的磁极间不均性的差值大,磁环磁极磁场强度均匀性不高以及磁环磁极磁场强度分布的一致性难以精确控制调节的问题。一种辐射取向磁环磁极磁场强度均匀性调整方法,在开路环境下按照次序对磁环磁极依次进行磁场强度局域调整,调整方法为在单个磁极的局域位置对磁极施加调节磁场,同时将该磁极表面区域加热至一定温度。实现了高均匀性辐射取向磁环的调控制备。

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