公开(公告)号：CN119875277A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411912492.1

申请日：2024-12-24

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 冉倩 ,  王玉婵 ,  张文霞 ,  许楠楠 ,  张楠

IPC: C08L33/12 ,  C08K3/16 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明涉及一种Cs3Bi2I9纳米晶聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备方法与应用，属于新材料领域。为解决现有复合材料制备工艺复杂、性能不佳的问题，本发明通过特定比例混合碘化铯、碘化铋、二甲基甲酰胺、油酸和油胺制备前驱液，再经异丙醇处理得到Cs3Bi2I9纳米晶，将纳米晶与聚甲基丙烯酸甲酯粉末及有机溶剂混合，制得复合材料。该复合材料可用于制备人工伤害感受器的阻变层，阻变层厚度为50～300nm，底电极采用透明导电玻璃材料，顶电极选用银、铝或金。本发明制备方法简单高效，所得复合材料性能稳定，应用于人工伤害感受器时，能实现高效、灵敏的伤害感知功能，具有广阔的应用前景和显著的有益效果。

公开(公告)号：CN115483348A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202211347114.4

申请日：2022-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  许楠楠 ,  袁一鸣 ,  曾福嘉 ,  陈光昊 ,  冉倩 ,  张文霞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。

公开(公告)号：CN115498106A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211347112.5

申请日：2022-10-31

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 王玉婵 ,  许楠楠 ,  袁一鸣 ,  曾福嘉 ,  陈光昊 ,  冉倩 ,  张文霞

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。