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公开(公告)号：CN113948639A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111210555.5
申请日：2021-10-18
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无铅铯锑碘钙钛矿阻变存储器及其制备方法，属于钙钛矿阻变存储器技术领域。本发明提出的一种基于无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器及其制备方法，不仅工艺简单、还在钙钛矿阻变层中用锑元素取代铅元素，使器件制备过程绿色环保低毒；同时制备的无铅铯锑碘钙钛矿的阻变存储器结构简单，是一种非易失性存储器，具有良好的存储耐久性、较长的数据保持力以及优异的稳定性和可重复性，并且擦写电压低，可在低功耗状态下实现数据存储。本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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公开(公告)号：CN115498106A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211347112.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于无铅双钙钛矿薄膜的柔性阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器的制备技术领域。本发明的柔性阻变存储器结构简单，具有以下优点：(1)采用有机聚合物材料(聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI))作为衬底，成本低廉且抗弯这能力强；(2)性能优异，具有双极性非易失存储的特点，且操作电压低、开关比高、循环耐受性好，同时机械可靠性强，可进行多次重复弯折。另外本发明的柔性阻变存储器再制备过程中采用的原料易得、制备工艺流程简单、对设备依赖性低、不含铅元素、绿色环保低毒；同时采用低温溶液旋涂法制备阻变层，避免了传统高温设备对柔性衬底造成的不可逆伤害。
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公开(公告)号：CN113078625A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110314789.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02H9/04 , H02H7/20 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
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公开(公告)号：CN113078625B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110314789.8
申请日：2021-03-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02H9/04 , H02H7/20 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物的浪涌保护阵列及制备方法，属于半导体技术领域。该述浪涌保护阵列包括：PN二极管、下电极、下加热电极、硫系化合物层、上电极、衬底和绝热材料层；PN二极管呈栓状，等间距阵列式排布在硅衬底上；下电极位于PN二极管之上；下加热电极位于下电极之上；硫系化合物层位于下加热电极之上；上电极位于硫系化合物层之上；上电极呈条状等间距排布，且与硫系化合物层相互垂直。硫系化合物层上部与上电极构成电性连接；硫系化合物层下部通过下加热电极与下电极构成电性连接。本发明利用硫系化合物所特有的阈值导通特性实现过电压保护，是一种过压保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护阵列。
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公开(公告)号：CN115483348A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211347114.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器及其制备方法，属于阻变存储器制备技术领域。本发明公开了一种基于复合薄膜且性能可调的阻变存储器，自下而上依次由衬底、底电极、阻变层、顶电极层叠组成，其中阻变层为掺杂Cs2AgSbBr6纳米晶体的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜。该阻变存储器通过改变掺入Cs2AgSbBr6纳米晶体的质量比能够实现对存储性能的调控，具有双极性非易失存储的特点。
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