公开(公告)号：CN117766573A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202410078823.X

申请日：2024-01-19

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  严仪欣 ,  秦嘉玲 ,  何玉婷

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种具有鳍式Z型栅结构的SOI‑LDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、埋氧层、漂移区、P‑well、漏极N+区、源极P+区、源极N+区、沟槽栅极、表面栅氧化层、平面栅极以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的沟槽栅极和平面栅极组成结构类似“Z”，使得器件在正向导通时，导电沟道反型层不仅在P阱区的顶部形成，而且也沿着Z型栅的侧壁形成，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，降低了比导通电阻。此外，Z型栅还可形成漂移区到底部的均匀电流分布，有助于降低比导通电阻，提高跨导，增强电流控制能力。

公开(公告)号：CN118782650A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410836241.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  秦嘉玲 ,  严仪欣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及一种具有三沟道双复合槽栅的VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括漏极N+区、漂移区、P‑well区、源极P+区、源极N+区、沟槽栅氧化层、沟槽复合栅以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明公开了一种具有三沟道双复合槽栅的VDMOS器件，通过在VDMOS器件沟槽栅极部分引入源极N+区形成三条电子电流沟道；通过在VDMOS器件栅极部分引入主栅和分裂栅形成复合栅，其中分裂栅的引入形成了沟道MOS二极管。复合栅减小了栅极与漏极的耦合面积，降低了器件的反馈电容；在反向恢复时，沟道MOS二极管的提前开启抑制了寄生PN结二极管的开启，大幅降低了寄生PN结二极管空穴的注入效率。

公开(公告)号：CN118763111A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410827457.3

申请日：2024-06-25

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  严仪欣 ,  秦嘉玲 ,  曾祥伟 ,  吴傲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种具有S型折叠沟道的Triple RESURF LDMOS器件，属于半导体器件技术领域。该器件包括衬底、漂移区、P‑well、折叠P‑well、P埋层、折叠漂移区、折叠1沟道、折叠2沟道、折叠3沟道、折叠4沟道、折叠5沟道、漏极N+区、源极P+区、折叠源极N+区、平面栅极、表面栅氧化层以及在源极、栅极和漏极处形成的金属电极。本发明所述的S型折叠沟道使得器件在正向导通时，导电沟道反型层呈现S型折叠状，扩大了沟道的宽度，提升了电子注入的能力，同时，Triple RESURF技术中的P埋层能够优化移区电场分布，提高漂移区掺杂浓度，进一步降低了该器件的比导通电阻。