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公开(公告)号：CN110358134A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910538789.9
申请日：2019-06-20
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜及其制备方法。所述低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法为：取一定量的三乙酰丙酮铝均匀分散于合成好的聚酰胺酸溶液中，所得复合树脂溶液铺膜进行热酰亚胺化制得低介电常数聚酰亚胺薄膜。与现有技术相比，本发明以三乙酰丙酮铝作为成孔剂，在聚酰亚胺热酰亚胺化过程中三乙酰丙酮铝即可升华挥发，使得聚酰亚胺基体中留下孔洞，成孔工艺简单易行，安全环保；所制得的低介电常数聚酰亚胺薄膜空气孔分布均匀，并具有较低的介电常数和良好的力学性能，在电子和微电子行业等领域具有较好的应用前景。
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