-
Patent Agency Ranking
-
-
公开(公告)号：CN103447549A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310415898.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 重庆文理学院
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明公开了一种钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：1）将六水合氯化钴和表面活性剂溶于去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；将氢氧化钠溶于去离子水中配成溶液B；将硼氢化钠溶于去离子水中配成溶液C；2）将溶液A、溶液B和溶液C三种溶液混合作为反应溶液并转移到高压釜中，进行水热反应，得到钴纳米球；通过控制反应条件，可控制钴纳米球的直径在250~900nm之间；本发明具有原料易得、设备简易、成本低廉、操作简单、高效快捷等特点，制备的钴纳米球形貌规整、粒径均一、分散性好、尺寸可控、产率高、稳定性好，适合大规模工业生产；本发明制备的钴纳米材料在磁记录材料、磁流体、永磁体、吸波材料、硬质合金、催化材料、陶瓷和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103447549B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310415898.4
申请日：2013-09-13
Applicant: 重庆文理学院
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明公开了一种钴纳米球的制备方法，包括以下步骤：1）将六水合氯化钴和表面活性剂溶于去离子水和无水乙醇的混合液中配成溶液A；将氢氧化钠溶于去离子水中配成溶液B；将硼氢化钠溶于去离子水中配成溶液C；2）将溶液A、溶液B和溶液C三种溶液混合作为反应溶液并转移到高压釜中，进行水热反应，得到钴纳米球；通过控制反应条件，可控制钴纳米球的直径在250~900nm之间；本发明具有原料易得、设备简易、成本低廉、操作简单、高效快捷等特点，制备的钴纳米球形貌规整、粒径均一、分散性好、尺寸可控、产率高、稳定性好，适合大规模工业生产；本发明制备的钴纳米材料在磁记录材料、磁流体、永磁体、吸波材料、硬质合金、催化材料、陶瓷和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102689918A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210060199.8
申请日：2012-03-04
Applicant: 重庆文理学院
Abstract: 本发明公开了一种硫化铜纳米片的制备方法，包括以下步骤：1)将氯化铜和表面活性剂溶于去离子水中配成溶液A；将硫代乙酰胺溶于去离子水中配成溶液B；2)将溶液A和溶液B两种溶液混合作为反应溶液进行水浴反应，得到六边形硫化铜纳米片；通过控制反应条件，可控制硫化铜纳米片的边长在55～140nm之间，厚度在8～20nm之间；本发明具有原料易得、设备简易、成本低廉、操作简单、高效快捷等特点，制备的硫化铜纳米片形貌规整、分散性好、尺寸可控、产率高、稳定性好，适合大规模工业生产；本发明制备的硫化铜纳米材料在发光二极管、光催化剂、荧光材料、电化学电池、传感器、激光器和太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.02 seconds)
