公开(公告)号：CN119199452A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411392209.7

申请日：2024-10-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 陈云乔 ,  卢马林 ,  梁杰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请提供一种基于嵌入式的N‑MOSFET重复雪崩测试系统，包括：加热模块，其用于对待测器件进行加热；控制模块，其用于提供脉冲信号以控制所述加热模块的开断以及调节所述加热模块的加热温度；测试电路，其与所述待测器件电性连接，并接收所述控制模块提供的控制信号以驱动所述待测试器件导通以完成重复雪崩测试；供电模块，其分别为所述加热模块、所述控制模块和所述测试电路供电。本申请提供的系统可满足不同型号N‑MOSFET器件的测试需求，结构简单，操作便捷。

公开(公告)号：CN119628382A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411926841.5

申请日：2024-12-25

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 成亮 ,  陈云乔 ,  梁杰 ,  程朝霞 ,  张航 ,  赵承义

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32

Abstract: 本申请提供一种功率管升压驱动电路，包括：供电模块，其用于提供高压输入；隔离驱动模块，其由所述供电模块供电并产生脉冲控制信号；升压模块，其基于所述脉冲控制信号进行升压的切换操作；功率管，其接所述升压模块的输出端，以将升高的电压导通到负载；采样模块，其对所述升压模块的输出端进行采样并将采样电压反馈至所述隔离驱动模块，使得所述隔离驱动模块基于所述采样电压调整所述脉冲控制信号。本申请可有效提高驱动电路的抗浪涌能力。