一种基于嵌入式的N-MOSFET重复雪崩测试系统

    公开(公告)号:CN119199452A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202411392209.7

    申请日:2024-10-08

    Abstract: 本申请提供一种基于嵌入式的N‑MOSFET重复雪崩测试系统,包括:加热模块,其用于对待测器件进行加热;控制模块,其用于提供脉冲信号以控制所述加热模块的开断以及调节所述加热模块的加热温度;测试电路,其与所述待测器件电性连接,并接收所述控制模块提供的控制信号以驱动所述待测试器件导通以完成重复雪崩测试;供电模块,其分别为所述加热模块、所述控制模块和所述测试电路供电。本申请提供的系统可满足不同型号N‑MOSFET器件的测试需求,结构简单,操作便捷。

Patent Agency Ranking