公开(公告)号：CN105244369A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510589211.8

申请日：2015-09-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 郝宏刚 ,  杨永念 ,  张春生 ,  王兴龙 ,  胡钢 ,  王斌

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66712

Abstract: 本发明提出了一种超结VDMOSFET制备方法及利用该方法形成的器件，该制备方法中，在半导体衬底表面外延形成漂移区，在掩膜掩蔽的情况下刻蚀漂移区直至暴露半导体衬底层，从而将漂移区分隔，利用外延填槽工艺在漂移区的间隔空间内插入第二导电类型的柱区，形成P/N柱区相互交错的超结漂移区。本发明通过在N型硅外延层中需要形成P型漂移区的区域刻蚀出沟槽，然后在沟槽中外延P型杂质的硅材料直至沟槽被填满形成P柱区，来代替现有技术中通过在N型外延层与注入P型离子多次相互交替及P型掺杂驱入来形成的P柱区的工艺过程，从而简化了制备超结VDMOSFET的工艺，降低了超结MOSFET的生产成本。