公开(公告)号：CN107622172B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710952993.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  任海 ,  赖伟 ,  姚然 ,  蒋梦轩 ,  江泽申 ,  康升扬 ,  邓吉利

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/3308 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明涉及一种芯片‑器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片‑器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。

公开(公告)号：CN112271208A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011149074.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  潘惠龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明是一种碳化硅单栅极双沟道晶闸管输运IGBT及制造方法，设计为芯片正面沟槽PNP基区三层结构，芯片背面为NPN集电极的晶闸管导电绝缘栅双极晶体管(TC‑IGBT)。以及对应的工艺制造方法。该发明芯片结构急剧增加元胞顶部的空穴浓度，降低元胞底侧的空穴浓度，减少关断下降时间70％以上和降低关断损耗约50％。该发明与欧、美、日最先进工率芯片对比亦具有电气性能领先的优势。

公开(公告)号：CN107622172A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710952993.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  任海 ,  赖伟 ,  姚然 ,  蒋梦轩 ,  江泽申 ,  康升扬 ,  邓吉利

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种芯片-器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片-器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。

公开(公告)号：CN112736134A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011145236.6

申请日：2020-10-23

Applicant: 重庆大学

Inventor： 蒋梦轩 ,  潘惠龙

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明所述碳化硅PNPN晶闸管注入型IGBT器件及其制备方法，在N型掺杂电场截止层与P+型集电层之间设有P型浮置层和N型层，形成的PNP集电极结构作为少数载流子源，向N‑型掺杂漂移区提供空穴，N型掺杂电场截止层、P型浮置层和N型层组成寄生NPN晶体管，且PNP集电极结构和寄生NPN晶体管形成了PNPN晶闸管结构，进而通过增加或降低P型浮置层的掺杂浓度来增加或降低电导调制效应，从而加速开关时间和降低开关损耗，且在透明P型集电极掺杂设计中，显著降低了其与集电极金属之间欧姆接触的制造难度。