公开(公告)号：CN107622172B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201710952993.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  任海 ,  赖伟 ,  姚然 ,  蒋梦轩 ,  江泽申 ,  康升扬 ,  邓吉利

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/3308 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明涉及一种芯片‑器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片‑器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。

公开(公告)号：CN107622172A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710952993.6

申请日：2017-10-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 李辉 ,  任海 ,  赖伟 ,  姚然 ,  蒋梦轩 ,  江泽申 ,  康升扬 ,  邓吉利

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种芯片-器件层级联合的压接式IGBT温度场有限元建模方法，属于大功率半导体器件设计仿真领域。该建模方法包括IGBT芯片层级建模，建立压接式IGBT元胞TCAD模型，仿真获取单个IGBT元胞通态压降分布规律；IGBT器件层级建模，建立包含多区域的IGBT芯片等效模型，并设置不同区域热源功率分配比例，建立压接式IGBT器件温度场有限元模型。本发明实现了压接式IGBT芯片-器件层级多场域耦合仿真，通过芯片层级建模仿真提取建立计及热源分布差异的芯片等效模型，提高了压接式IGBT模块温度场有限元仿真结果的准确性，可以更准确地表征压接式IGBT芯片与器件之间热耦合作用关系。