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公开(公告)号：CN118822961A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410805685.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T7/00 , G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/2202 , G01N23/2204 , G01N1/28 , G01N23/22 , G01N23/00 , G06V20/69 , G06V10/75 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，包括如下步骤：通过透射电镜获取样品的若干位错图像，标注获得位错信息，并建立数据集训练深度学习网络模型，以获得位错识别模型；通过透射电镜获取样品系列衍射矢量下的位错图像集合，通过位错识别模型获取位错图像集合的位错信息，结合各衍射矢量下的倾转角度对位错信息进行校准，得到校准后的位错信息；根据校准后的位错信息，获得各衍射矢量下的位错可见性信息，从而分析获得位错柏氏矢量。本发明提供的基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，能够实现位错的快速智能识别和标注，并且通过对各衍射矢量的位错信息进行校准，提高了柏氏矢量分析的精度和效率。
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公开(公告)号：CN115272568B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202210856051.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向，获得位错界面的转动轴方向和位错界面的局部区域法向，进一步在三维图像中展示位错界面的局部区域法向，以及根据位错界面的局部区域法向和位错界面的转动轴方向之间的夹角获得位错界面的倾斜和扭转组分信息，在三维图像中展示位错界面的组分分布特征。本发明基于透射电镜位错三维定量表征方法，能够直观呈现位错界面取向和组分信息的空间分布特征。
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公开(公告)号：CN118822961B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410805685.0
申请日：2024-06-21
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T7/00 , G01N23/04 , G01N23/20 , G01N23/2202 , G01N23/2204 , G01N1/28 , G01N23/22 , G01N23/00 , G06V20/69 , G06V10/75 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，包括如下步骤：通过透射电镜获取样品的若干位错图像，标注获得位错信息，并建立数据集训练深度学习网络模型，以获得位错识别模型；通过透射电镜获取样品系列衍射矢量下的位错图像集合，通过位错识别模型获取位错图像集合的位错信息，结合各衍射矢量下的倾转角度对位错信息进行校准，得到校准后的位错信息；根据校准后的位错信息，获得各衍射矢量下的位错可见性信息，从而分析获得位错柏氏矢量。本发明提供的基于深度学习的位错柏氏矢量智能分析方法，能够实现位错的快速智能识别和标注，并且通过对各衍射矢量的位错信息进行校准，提高了柏氏矢量分析的精度和效率。
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公开(公告)号：CN117740630A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311771605.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法，首先通过透射电镜获取样品的晶粒系列倾转角度下的图像，重构晶粒的三维图像，并获得样品坐标系下晶粒的界面信息，然后倾转样品使其分别处于三个非共线晶带轴方向并获得倾转参量，根据三个非共线晶带轴的取向信息获得参考取向参量，并根据倾转参量和参考取向参量获得样品坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据样品坐标系下晶粒的界面信息和转换参量获得在样品的晶体坐标系下晶粒的界面信息，对三维图像进行赋色，进而在三维图像中展示出晶粒界面的晶体学取向特征。本发明基于透射电镜三维重构技术和关联晶体学分析方法实现晶粒几何特征和晶体学特征的三维定量集成表征。
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公开(公告)号：CN112505071A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011604046.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的位错三维定量表征方法及系统，首先通过透射电镜获取样品的位错多个不同角度的图像，根据获得的图像构建在预设坐标系下描述的、包含位错的几何信息的三维图像，然后获取透射电镜对样品成像时样品在预设坐标系的参考取向参量，并根据参考取向参量获得预设坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据位错在预设坐标系下的三维图像以及转换参量，获得位错在样品的晶体坐标系下描述的三维图像。本发明通过基于关联晶体学分析实现样品坐标系和晶体坐标系之间的转换，能够实现在晶体坐标系中位错几何特征和晶体学特征的高精度定量集成表征。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113506366B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110901900.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种位错特征的三维可视化方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN115272568A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210856051.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 重庆大学
IPC: G06T17/00
Abstract: 本发明公开了一种位错界面特征三维可视化方法，通过透射电镜获得图像构建位错界面在晶体坐标系下描述的三维图像，并获取位错界面的组分位错的柏氏矢量；根据三维图像反映的位错界面的构型以及组分位错的柏氏矢量、线方向和所在滑移面法向，获得位错界面的转动轴方向和位错界面的局部区域法向，进一步在三维图像中展示位错界面的局部区域法向，以及根据位错界面的局部区域法向和位错界面的转动轴方向之间的夹角获得位错界面的倾斜和扭转组分信息，在三维图像中展示位错界面的组分分布特征。本发明基于透射电镜位错三维定量表征方法，能够直观呈现位错界面取向和组分信息的空间分布特征。
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公开(公告)号：CN117740630B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311771605.6
申请日：2023-12-21
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的晶粒三维表征方法，首先通过透射电镜获取样品的晶粒系列倾转角度下的图像，重构晶粒的三维图像，并获得样品坐标系下晶粒的界面信息，然后倾转样品使其分别处于三个非共线晶带轴方向并获得倾转参量，根据三个非共线晶带轴的取向信息获得参考取向参量，并根据倾转参量和参考取向参量获得样品坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据样品坐标系下晶粒的界面信息和转换参量获得在样品的晶体坐标系下晶粒的界面信息，对三维图像进行赋色，进而在三维图像中展示出晶粒界面的晶体学取向特征。本发明基于透射电镜三维重构技术和关联晶体学分析方法实现晶粒几何特征和晶体学特征的三维定量集成表征。
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公开(公告)号：CN112505071B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202011604046.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于透射电镜的位错三维定量表征方法及系统，首先通过透射电镜获取样品的位错多个不同角度的图像，根据获得的图像构建在预设坐标系下描述的、包含位错的几何信息的三维图像，然后获取透射电镜对样品成像时样品在预设坐标系的参考取向参量，并根据参考取向参量获得预设坐标系到样品的晶体坐标系的转换参量，进一步根据位错在预设坐标系下的三维图像以及转换参量，获得位错在样品的晶体坐标系下描述的三维图像。本发明通过基于关联晶体学分析实现样品坐标系和晶体坐标系之间的转换，能够实现在晶体坐标系中位错几何特征和晶体学特征的高精度定量集成表征。
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公开(公告)号：CN113506366A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110901900.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种位错特征的三维图示化表示方法，通过透射电镜获取样品中位错不同角度下的图像，并进行三维重构获得位错在晶体坐标系下描述的三维图像，根据位错的三维图像获得位错的线方向。然后根据位错的线方向和位错的柏氏矢量获得位错的组分信息，根据位错的线方向获得位错与预设晶面的空间关系，并在位错的三维图像中展示位错组分信息的空间分布和位错与预设晶面的空间关系。本发明实现了在位错的三维图像中表征位错特征，能够精确、直观地表征两类位错特征，为位错相关基础科学问题研究提供了技术基础。
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