公开(公告)号：CN101251508B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200810069532.5

申请日：2008-04-01

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘天模 ,  甘浩宇 ,  利佳 ,  赵先瑞

IPC: G01N27/407

Abstract: 本发明涉及一种检测氢气的气敏元件制备方法，将超声波和低温陈化技术运用到锌盐、锡盐的络合效应与化学共沉淀制备纳米ZnSnO3。本发明是在纳米ZnSnO3的基础上，掺杂贵金属盐PdCl2、粘接剂(正硅酸乙脂)和去离子水，通过研磨、超声波震荡、涂料、烧结等工艺制成新型的PdO-ZnSnO3旁热式半导体气敏元件。其中纳米ZnSnO3基料采用改进的共沉淀法制得。本发明具有气敏材料灵敏度高、选择性强、工作温度低、制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN101251508A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810069532.5

申请日：2008-04-01

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘天模 ,  甘浩宇 ,  利佳 ,  赵先瑞

IPC: G01N27/407

Abstract: 本发明涉及一种检测氢气的气敏元件制备方法，将超声波和低温陈化技术运用到锌盐、锡盐的络合效应与化学共沉淀制备纳米ZnSnO3。本发明是在纳米ZnSnO3的基础上，掺杂贵金属盐PdCl2、粘接剂(正硅酸乙脂)和去离子水，通过研磨、超声波震荡、涂料、烧结等工艺制成新型的PdO－ZnSnO3旁热式半导体气敏元件。其中纳米ZnSnO3基料采用改进的共沉淀法制得。本发明具有气敏材料灵敏度高、选择性强、工作温度低、制备工艺简单等优点。