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公开(公告)号:CN115432957B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202211052960.3
申请日:2022-08-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B26/08 , C04B14/30 , C04B35/453 , C04B35/634 , C04B35/645 , C08L27/18 , C08K3/22
摘要: 本发明公开了一种冷烧结制备ZnO‑PTFE超疏水复合陶瓷的方法,包括将ZnO粉末和PTFE粉料进行球磨混料,获得ZnO‑PTFE复合粉体;将冷烧结助剂加入ZnO‑PTFE复合粉体中,充分研磨均匀,获得待烧结粉末;将待烧结粉末倒入模具,施加压力,采用普通冷烧结或等离子体烧结自然冷却即得ZnO‑PTFE复合陶瓷。本发明采用冷烧结的方式,得到高致密度的ZnO‑聚四氟乙烯复合陶瓷片,相对致密度高于98%,具有超疏水特性,其疏水角度可达160°。
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公开(公告)号:CN102564759B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201110441205.X
申请日:2011-12-26
申请人: 重庆大学
IPC分类号: G01M13/02 , G01M17/007
摘要: 本发明公开了一种基于智能轴承的汽车后桥寿命预测系统,包括智能轴承,智能轴承采集的信号输出给放大电路进行放大后,再输出给模数转换电路进行模数转换,该模数转换电路输出数字信号给微控制器,微控制器经通讯接口电路将数字信号传输给PC机,PC机接收的数字信号分析处理并建立预测的线性时间序列模型后,进行寿命预测。本发明是专门针对汽车后桥的寿命预测系统,预测精度较高。
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公开(公告)号:CN111848152A
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN202010808776.1
申请日:2020-08-12
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/64
摘要: 本发明涉及一种基于冷烧结的高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其制备方法,该方法将ZnO、Bi2O3、CoO和Mn2O3按照摩尔比例为95-100%:0-5%:0-5%:0-5%进行混合;然后湿式球磨12h后,将混合粉末在80oC烘干12h,然后取混料装入金属模具,采用冷烧结技术进行200-300oC烧结1-3 h,自然冷却得到目标压敏陶瓷。该方法采用冷烧结技术制备压敏陶瓷,烧结温度和保温时间大幅下降,更加的节能环保,得到的ZnO压敏陶瓷电位梯度高达3300 V/mm以上,且非线性系数高达40左右。
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公开(公告)号:CN102564759A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110441205.X
申请日:2011-12-26
申请人: 重庆大学
IPC分类号: G01M13/02 , G01M17/007
摘要: 本发明公开了一种基于智能轴承的汽车后桥寿命预测系统,包括智能轴承,智能轴承采集的信号输出给放大电路进行放大后,再输出给模数转换电路进行模数转换,该模数转换电路输出数字信号给微控制器,微控制器经通讯接口电路将数字信号传输给PC机,PC机接收的数字信号分析处理并建立预测的线性时间序列模型后,进行寿命预测。本发明是专门针对汽车后桥的寿命预测系统,预测精度较高。
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公开(公告)号:CN115385682B
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202211045220.7
申请日:2022-08-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种超高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其低碳烧结制备工艺,属于电气元件材料领域。超高电位梯度ZnO压敏陶瓷中包括氧化锌、氧化铋、氧化钴、三氧化二锰、氧化铬、氧化镍、氧化钙、氧化钇和硝酸铟晶体。其制备方法为按各成分的摩尔百分比取配料进行球磨得到混合粉料;再向混合粉料加入甲酸溶液或乙酸溶液进行混合得到初始粉料;再将混料充分研磨均匀,倒入模具,施压,烧结。本发明采用低碳烧结制备技术,得到具有超高电位梯度的ZnO压敏陶瓷,烧结耗能从传统固相烧结的109.18MJ/g降低到9.2‑34MJ/g。电位梯度高于2000V/mm,非线性系数最大约为106。
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公开(公告)号:CN115432957A
公开(公告)日:2022-12-06
申请号:CN202211052960.3
申请日:2022-08-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B26/08 , C04B14/30 , C04B35/453 , C04B35/634 , C04B35/645 , C08L27/18 , C08K3/22
摘要: 本发明公开了一种冷烧结制备ZnO‑PTFE超疏水复合陶瓷的方法,包括将ZnO粉末和PTFE粉料进行球磨混料,获得ZnO‑PTFE复合粉体;将冷烧结助剂加入ZnO‑PTFE复合粉体中,充分研磨均匀,获得待烧结粉末;将待烧结粉末倒入模具,施加压力,采用普通冷烧结或等离子体烧结自然冷却即得ZnO‑PTFE复合陶瓷。本发明采用冷烧结的方式,得到高致密度的ZnO‑聚四氟乙烯复合陶瓷片,相对致密度高于98%,具有超疏水特性,其疏水角度可达160°。
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公开(公告)号:CN115385682A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202211045220.7
申请日:2022-08-30
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种超高电位梯度ZnO压敏陶瓷及其低碳烧结制备工艺,属于电气元件材料领域。超高电位梯度ZnO压敏陶瓷中包括氧化锌、氧化铋、氧化钴、三氧化二锰、氧化铬、氧化镍、氧化钙、氧化钇和硝酸铟晶体。其制备方法为按各成分的摩尔百分比取配料进行球磨得到混合粉料;再向混合粉料加入甲酸溶液或乙酸溶液进行混合得到初始粉料;再将混料充分研磨均匀,倒入模具,施压,烧结。本发明采用低碳烧结制备技术,得到具有超高电位梯度的ZnO压敏陶瓷,烧结耗能从传统固相烧结的109.18MJ/g降低到9.2‑34MJ/g。电位梯度高于2000V/mm,非线性系数最大约为106。
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公开(公告)号:CN113354406A
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202110726142.6
申请日:2021-06-29
申请人: 重庆大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法,该方法采用分析纯99.5%的ZnO粉末,取浓度为2mol/L,添加比~10wt%醋酸溶液与ZnO粉料进行混合,充分研磨均匀,倒入石墨模具,施加3.8‑50MPa压力,保压5min后,在真空环境下以50℃/min的速率升温加热至120‑300℃,保温5min。本发明采用放电等离子体辅助冷烧结的方式,得到高致密度的ZnO陶瓷,相对致密度高于98%,其晶粒生长活化能仅为78.8kJ/mol,约为传统高温烧结的三分之一,烧结耗能从传统烧结的78.76MJ降低到0.11MJ,晶界阻抗随烧结温度的升高而下降,从120℃烧结试样的9.82×106Ω下降到250℃烧结试样的2.75×103Ω。
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