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公开(公告)号：CN117491917A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311296854.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了基于磁电层状结构的第Ⅱ类超导体磁通涡旋相的表征方法，涉及超导体技术领域，其技术方案要点是：包括将具有压电效应的材料(压电材料层)和具有磁致伸缩效应的第Ⅱ类超导体材料(磁致伸缩材料层)机械复合，形成磁电层状结构。在本发明中，利用便宜又简单的复合磁电耦合技术研究了第Ⅱ类超导体，能够通过该方法全面地绘制超导磁通涡旋相图，包括下临界场Hc1、不可逆温度、上临界场Hc2以及区分涡旋玻璃态、涡旋液态和非涡旋态；同时，能够通过该方法也可以探测不同频率和不同强度的外磁场激励下涡旋液态的动力学行为；以及可以定量的测量涡旋固态相的磁通密度。
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公开(公告)号：CN119321971A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411485357.3
申请日：2024-10-23
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了材料测试设备技术领域的一种极低温极限单轴应力调节装置，包括滑台组件、动力组件和传动组件；所述滑台组件包括滑台底座；滑台底座上设置有直线导轨；直线导轨一端设置有凸起；直线导轨上滑动配合有滑台本体；凸起和滑台本体上均设置有用于固定样品的夹持组件和用于检测滑台本体与凸起之间位移变化的检测组件；滑台本体与传动组件连接；动力组件用于提供动力；传动组件用于将动力传递至滑台本体并驱动滑台本体直线移动。本方案具有结构紧凑、操作简便、应力调节范围广、应力调节实时等特点，特别适用于极低温环境下应力调控材料的热学、力学、电学、磁学等性质的研究。
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