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公开(公告)号:CN109666265B
公开(公告)日:2020-12-15
申请号:CN201811533135.9
申请日:2018-12-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备PEDOT薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)前驱液的制备;2)EDOT单体溶液的制备;3)前驱液的成膜;4)PEDOT的成膜;5)透明电极热处理;本发明设计了一种大面积制备PEDOT薄膜的方法,可通过油墨打印制备工艺在室温或低于200摄氏度的低温,在不同面积基片上直接制备具有优良光电性能和机械柔性的大面积透明电极,生产步骤简单且极大降低了生产成本;本发明制备出的大面积透明电极具有良好的电学性能。
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公开(公告)号:CN109666265A
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201811533135.9
申请日:2018-12-14
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积制备PEDOT薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)前驱液的制备;2)EDOT单体溶液的制备;3)前驱液的成膜;4)PEDOT的成膜;5)透明电极热处理;本发明设计了一种大面积制备PEDOT薄膜的方法,可通过油墨打印制备工艺在室温或低于200摄氏度的低温,在不同面积基片上直接制备具有优良光电性能和机械柔性的大面积透明电极,生产步骤简单且极大降低了生产成本;本发明制备出的大面积透明电极具有良好的电学性能。
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